Laboratórium MOCVD technológie

Kontakt: doc. Ing. Novák Jozef, DrSc.

Laboratórium MOCVD technológie (spustené v júli 1993) prevádzkuje dve epitaxné zariadenia od firmy Aixtron. Pôvodné zariadenie AIXTRON AIX-200 R&D je výskumná aparatúra určená na skúmanie III-V polovodičov ako sú GaAs, GaP a InP a ich tuhé roztoky a heteroštruktúry. Zdrojmi prvkov III skupiny sú organometalické zlúčeniny ako napr. trimetylgalium (TMGa), trimetylindium (TMIn) a trimetylaluminium (TMAl). Prvky V skupiny sa získavajú rozkladom hydridov ako sú arzín a fosfín. Pre dotovanie polovodičov sa používajú kremík (ako zdroj donorov) a zinok (ako zdroj akceptorov). Táto aparatúra zabezpečuje prípravu epitaxných vrstiev a štruktúr, vrátane moderných nízkodimenzionálnych štrukúr využívajúcich kvantové efekty v heteroprechodoch pripravených na základe InGaAs/InP, GaAs/InGaP a AlGaAs/GaAs.

Od konca roku 2014 je v prevádzke nové zariadenie AIXTRON CCS určené na prípravu polovodičových štruktúr na báze GaN a príbuzných zlúčeninách. Apartúra pre rast epitaxných vrstiev s tzv “shower head” reaktorom umožňuje rast na troch dojpalcových substrátoch alebo jednom štvorpalcovom substráte. Súčasné usporiadanie aparatúry umožňuje prípravu GaN, InGaN, InAlN a AlGaN vrstiev a z nich zložených štruktúr. Zdrojmi sú organometalické zlúčeniny a zdrojom dusíka je čpavok NH3. Vrstvy je možné dotovať pomocou silánu (SiH4). Aparatúra je využívaná najmä na prípravu tranzistorových a fotokatódových štruktúr.

Zameranie:

  • MOVPE rast III-N, III-As a III-P materiálov
  • Rast dopovaných a nedopovaných nanodrôtov a analýza počiatočných fáz rastu nanodrôtov
  • Príprava fotonických štruktúr na báze NSOM litografir

Vybavenie:

  • Aixtron MOVPE CCS 3x2 'shower head' raktor pre rast GaN a príbuzných III-N materálov
  • Aixtron AIX-200 R&D MOVPE horizontálny systém pre rast arzenidov a fosfidov

 

     

                               kontakt pre ďalšie informácie: Ing. S. Hasenöhrl, Ing. J. Kuzmík, DrSc.

 


Laboratórium PLD

Kontakt: Ing. Chromik Štefan, DrSc.

V laboratóriu je umiestnené zariadenie pre pulznú laserovú depozíciu - PLD . Zariadenie je využívané na prípravu epitaxných supravodivých oxidových vrstiev, manganitových vrstiev a štruktúr, epitaxných tenkých dielektrických vrstiev rôzneho zloženia ako aj multivrstvových systémov.

Výhody:

  • Jednoduchá koncepcia: laser odparuje povrch terča a produkuje vrstvu rovnakého zloženia ako terč.
  • Mnohostrannosť: možná depozícia mnohých materiálov v rôznych plynoch a širokom rozsahu tlakov použitých plynov
  • Ekonomika prevádzky: jeden laser môže slúžiť pre viacero vákuových systémov, terče použité v PLD sú malé v porovnaní s veľkorozmernými terčami v prípade naprašovania
  • Rýchlosť: vysokokvalitné vzorky (epitaxné vrstvy) môžu narásť v čase pod 10-15 min, čo má význam pre obmedzenie nežiadúcich interdifúznych procesov, napr. pri príprave štruktúr vysokoteplotných supravodičov

 

                              

 


Laboratórium ALD

Kontakt: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.

Depozícia po atomárnych vrstvách je využívaná na rast tenkých oxidových vrstiev ako Al2O3, TiO2 a HfO2. Vrstvy sú rastené v rôznych módoch podľa oxidačného činidla (voda, ozón, plazma) pri nízkych teplotách (blízkych izbovej až po 350 °C). Pripravované tenké vrstvy sú využívané ako izolačné a/alebo pasivačné materiály pre elektrónové súčiastky (tranzistiry typu HEMT na báze GaN a GaAs) a ako funkčné vrstvy v pamäťových elementoch na princípe resistívneho prepínania.

Zameranie:

  • Depozícia tenkých vrstiev oxidov s atomárnou presnosťou
  • Rast dielektrických vrstiev vysokej kvality pri nízkych depozičných teplotách
  • Depozícia na neplanárne 3D podložky
  • Modifikácia vrstiev a rozhraní na atomárnej úrovni

                             


Laboratórium pre nanášanie kovov

Kontakt: Ing. Fedor Ján, PhD.

Hlavným zariadením laboratória je vákuové depozičné zariadenie AJA Orion 8E, ktoré je umiestnené v čistých priestoroch. Umožňuje depozíciu kovových, dielektrických a magnetických vrstiev na podložky s mazimálnym priemerom 75 mm. Zariadenie je využívané pre riešenie úloh v mikroelektronike, v nanotechnológiach, ako aj pre vývoj moderných senzorov pre životné prostredie a medicínu.

Zameranie:

  • Naparovanie materiálov z dvoch nezávislých elektrónových diel
  • AC a DC naprašovanie kovových, dielektrických a magnetických materiálov (duálne naprašovanie, supermriežky)
  • Dva zdroje pre tepelné naparovanie
  • Opracovanie vzoriek: RF čistenie, čistenie iónovým zväzkom, rotácia žíhanie vzoriek do 850 °C
  • Depozícia materiálov v prítomnosti rôznych plynov pozadia: N2 (TiN), O2 (Al2O3)


                             


Laboratórium tvarovania nanoštruktúr

Kontakt: Ing. Vávra I., CSc.

Duálny mikroskop FEI Quanta 3D je zariadenie - skenovací mikroskop pracujúci s dvoma zväzkami nabitých častíc - elektrónov (SEM) a iónov FIB (Focused Ion Beam). Súčasťou mikroskopu je aj mikromanipulátor, ktorý umožňuje s predmetmi manipulovať, ďalej zariadenie na depozíciu platinových kontaktov. Umožňuje mikro a nanotvarovanie, vytváranie 3D nanoštruktúr a nanoobjektov, analýzu vrstvových a kompozitných nanoštruktúr a manipuláciu s nanoobjektami.

                             


Laboratórium plazmového leptania

Kontakt: RNDr. Haščík Štefan, PhD.

Oxford Instruments - Plasmalab System100 je základným nástrojom pre proces suchého reaktívneho iónového leptania materiálov pomocou induktívne viazanej plazmy (ICP RIE). Náš výskum je primárne zameraný na leptanie polovodičových materiálov GaN, AlGaN, InAlN, GaAs a InN. Zariadenie ICP RIE ponúka možnosti precízneho selektívneho reaktívneho leptania s minimálnym poškodením neleptaných materiálov a umožňuje tak tvorbu rôznych (opto-)elektronických a mikro‑elektro‑mechanických prvkov (MEMS). Vstupný systém na vkladanie vzoriek do leptacieho zariadenia umožňuje leptanie 4‑palcových substrátov a tiež menších vzoriek, ktoré môžu byť uložené na nosnom substráte.  Leptacie zariadenie je obsluhované z čistých priestorov pomocou kontrolného počítača.

Zameranie:

    • selektívne leptanie polovodičových materiálov: GaN, AlGaN, InAlN, GaAs, InN pomocou chlórovej chémie (aj s prímesami fluóru)
    • leptanie heteroštruktúr: AlGaAs, GaAs, InGaAs, InP s použitím SiCl4/Cl2, BCl3/Cl2, a Cl2/Ar
    • leptanie SiO2, Si3N4 a SiC s použitím plynov CF4 a SF6

    Zariadenie:

    Oxford Instruments Plasmalab System100 ICP:

    • 13.56 MHz zdroj s automatickým prispôsobením parametrov
    • 3 kW zdroj na budenie induktívne viazanej plazmy (ICP 180) s elstat. tienením
    • rozsah pracovných teplôt elektródy: - 30 + 80 °C
    • automatický 4-palcový/100 mm Load‑lock systém na vkladanie vzoriek
    • kontrolný počítač s operačným systémom Windows 7 a ovládacím softvérom PC2000

                  


    Laboratórium čisté priestory

    Kontakt: Ing. Kováčová Eva

    Špeciálne čisté priestory sú určené na vývoj súčiastok a senzorov.
    Prašnosť v nich sa udržuje podľa US normy (100 častíc veľkosti 0.5 μm a viac v kubickej stope), čo je na úrovni výrobných prevádzok producentov elektronických obvodov. Priestory pozostávajú z dvoch miestností a sú vybavené: expozičným zariadením MJB3 firmy Karl Suss, starším optickým mikroskopom, výrobníkom deionizovanej vody, dvoma chemickými boxami.

                                     

    Dokumenty


    Technologické laboratórium v Piešťanoch

    Kontakt: RNDr. Boháček Pavol, CSc.

    Laboratórium je vybavené dvomi vysokovákuovými zariadeniami na vákuvé odparovanie. Obidva depozičné systémy sa používajú pri riešení výskumných projektov z oblasti mikroelektroniky, nanotechnológie a moderných environmentálnych senzorov a radiačných detektorov. Vrstvy a tenké vrstvy sú pripravované pomocou dvoch odlišných (ko)depozičných metód - tepelným odparovaním a odparovaním elektrónovým lúčom.

    Zariadenia:

    • Nové vysokovákuové (VV) depozičné zariadenie, model TFDS-462B od VST Services, s.r.o. vybavené:
    • Scroll pumpa a turbomolekulárna pumpa, 2.5×10-4 Pa do 50 min.,
    • Zdroj odparovania elektrónovým lúčom Telemark TT-6, 4 priehradky × 4 cc, 6 kW (750 mA, 8 kV),
    • Dva termálne odparovacie zdroje 3.2 kW (8 V, 400 A),
    • Kontrolér rýchlosti rastu a hrúbky tenkej vrstvy Telemark 880, 6 Mhz, presnosť ±0.5% z hrúbky,
    • PC prepojovací softvér komunikuje s PLC riadiacim systémom cez ethernetový port
    • Čiastočne vylepšený VV odparovací systém s dvomi elektrónovými delami a dvomi termálnymi zdrojmi
    • Sušiareň s regulovateľným vyhrievaním do teploty 300° C na vyvolávanie fotorezistu
    • Jednostranná optická expozička s optickým mikroskopom
    • Ultrazvuková čistička vzoriek s regulovateľným výkonom
    • Chemický box pre prácu s organickými a anorganickými látkami

                   

                                       


    Laboratórium kompozitných supravodičov

    Kontakt: Ing. Hušek Imrich

    Laboratórium kompozitných supravodičov má k dispozícii úplné technologické vybavenie na prípravu kompozitných drôtov/pások a káblov.
    Používa sa rotačné kovanie, ťahanie, ako aj tradičné aj netradičné valcovacie techniky: aktívne dvojosové a excentrické valcovanie.
    Kruhové a ploché káble (3 – 12 žíl) je možné pripraviť v dĺžke niekoľko sto metrov.
    Tepelné spracovanie práškov, kovov ako aj kompozitných drôtov a vinutí z nich je možné robiť v kyslíkovej atmosfére, vo vákuu alebo v ochrannej atmosfére inertného plynu.

             
          Ťažná stolica                              Dvojosová valcovačka                            Kablovací stroj


    Laboratórium meraní transportných prúdov v supravodičoch

    Kontakt: Ing. Kováč Pavol, DrSc.

    Laboratórium zabezpečuje charakterizáciu transportných vlastností supravodičov v závislosti od vonkajšieho magnetického poľa, smeru poľa, teploty a tiež od mechanického namáhania. Ponúka merania pomocou jednosmerných a pulzných prúdov (do 1500 A) v rozsahu teplôt 2.7 – 77 K a magnetických polí do 12 T. 

    Zameranie:

    • Charakterizácia kritických prúdov supravodičov vo vonkajšom magnetickom poli
    • Meranie anizotrópie kritických prúdov v supravodičoch pri rôznej orientácii magnetického poľa
    • Teplotné závislosti kritických prúdov v rozsahu teplôt 2.7 až 77 K
    • Analýza vplyvu mechanických napätí (ťahové, ohybové, torzné) v supravodičoch 

                            
    Napínací prípravok používaný na meranie σ(ε) a Ic(ε) charakteristík supravodivých drôtov.


    Laboratórium pre výskum rtg optiky a zobrazovacích metód

    Kontakt: Ing. Zápražný Zdenko, PhD.

     

    Novovybudované rtg laboratórium pre výskum a vývoj moderných rtg zobrazovacích metód (metóda šírenia voľným priestorom, fázový kontrast, počítačová tomografia) vybavené mikrofokusným rtg zdrojom Hamamatsu, vysokorozlišovacou rtg kamerou miniFDI (Photonic Science) a goniometrom Newport s komplet vyvinutým riadiacim softvérom bolo optimalizované v rámci projektu "Výskumno vývojového centra pre pokročilé rtg technológie" aj pre testovanie rtg optických prvkov. Optimalizácia obsahovala obstaranie nasledovných vylepšení: anti-vibračný optický stôl, nové krytovanie rtg systému, medipix detektory (vyčítavacie čipy: Si, GaAs), vysokopresný manipulátor pre rtg optiku pozostávajúci z dvoch nezávislých hexapodov, nový riadiaci program umožňujúci voľne programovať rôzne typy experimentov (Python), obrazec na testovanie rozlišovacej schopnosti do 0.5 µm (Xradia X500-200-120), Fresnelova zónová doštička s rozlíšením 120 nm s fokusačnou dĺžkou 30 cm (pre energiu CuKα1).

    Špecifikácie:

    • Mikrofokusný rtg zdroj s veľkosťou ohniska 8 µm: Zdroj má transmisnú wolfrámovú anódu a emituje kužeľový rtg zväzok s výstupným uhlom 39°, čo umožňuje geometricky zväčšovať skúmanú vzorku do 140x
    • Rotačný goniometer s vysokým rozlíšením (minmálny krok pootočenia 0.0002°), na ktorý sa upevňuje držiak vzorky a ktorý nám umožňuje snímať sekvenčné tomografické projekcie
    • CCD X-ray mini FDI kamera Photonic Science. Základné parametre kamery sú: pixelové rozlíšenie: 1392×1040, veľkosť pixelu: 6.4×6.4 µm2, aktívne okno: 10×8 mm2, scintilátor: Gd2O2S:Tb3 optimálnou energetickou odozvou od 5 keV do 17 keV
    • Manipulátor pre rtg optiku obsahujúci dva hexapody s uhlovým rozlíšením 3.5 µrad a s minimálnym posuvom v osiach X,Y,Z = 0.5 µm
    • MEDIPIX detektory s Si a GaAs čipomi. Veľkosť pixelu: 55x55 µm2. Aktívne okno: 14x14 mm2
    • Obrazec na testovanie rozlišovacej schopnosti do 0.5 µm (Xradia X500-200-120)
    • Zónová doštička s rozlíšením 120 nm s fokusačnou dĺžkou 30 cm (pre energiu CuKa1)

            


    Laboratórium RTG

    Kontakt: doc. RNDr. Dobročka Edmund, CSc.

    Základným zariadením laboratória je BRUKER AXS – D8 DISCOVER SUPER SPEED DIFFRACTION SYSTEM, ktoré slúži na skúmanie štruktúry kryštalických látok. Difraktometer umožní detailný výskum atómovej štruktúry objemových materiálov a tenkovrstvových štruktúr, špeciálne analýzy tenkých vrstiev, multivrstiev a supermriežok na nanometrovej úrovni.

            


    Rtg laboratórium v Piešťanoch

    Kontakt: RNDr. Korytár Dušan, CSc.

    Laboratórium pozostáva z dvoch pracovísk:

    • Rtg difraktometer HZG4 a dvojkryštálová kamera DTS na testovanie kvality monokryštálov a pre výskum a vývoj rtg optických prvkov
    • Novovybudované pracovisko pre výskum a vývoj moderných rtg zobrazovacích metód ( metóda šírenia voľným priestorom, fázový kontrast, počítačová tomografia) vybavené mikrofokusným rtg zdrojom Hamamatsu, vysokorozlišovacou rtg kamerou miniFDI (Photonic Science) a goniometrom Newport s kompletným vyvinutým riadiacim softvérom

    Laboratórium Ramanovej spektroskopie

    Kontakt: Dr. rer. nat. Hulman Martin

    Ramanovský systém firmy WiTeC používa na budenie spektier tri lasery s vlnovými dĺžkami 355, 532 a 785 nm.
    Laserové svetlo je na vzorku fokusované pomocou konfokálneho mikroskopu, ktorý zároveň slúži aj na zber svetla rozptýleného vzorkou. Systém používa tri spektrometre s CCD kamerami, jeden pre každý laser osobitne, ktoré sú optimalizované pre danú vlnovú dĺžku lasera. V  systéme je zaradený aj štvrtý spektrometer, ktorý sa požíva na meranie luminiscencie v optickej a blízkej infračervenej oblasti až do vlnovej dĺžky 2.2 μm.
    Do optickej dráhy mikroskopu je možné vložiť polarizátor a analyzátor, ktorí umožňujú meranie polarizačných závislostí  Ramanovských spektier. Tiež je možné použiť nástavec s dvoma Braggovskými mriežkami pre merania spektier veľmi blízko budiacej laserovej čiary až do 10 cm-1.
    Systém je vybavený stolíkom pre xyz - posuv vzorky s krokom pod 100 nm.  Keďže systém dovoľuje merať spektrá s integračným časom kratším ako 0.1 s, v priebehu (desiatok) minút je možné namerať aj niekoľko tisíc spektier a vytvárať plošné (2D) aj priestorové (3D) skeny vzoriek.

                                      


    Laboratórium skenovacích techník

    Kontakt: Ing. Šoltýs Ján, PhD.

    V Laboratórium skenovacích techník sú umiestnené 2 základné prístroje na prípravu a charakterizáciu mikro a nano-štruktúr. Prvým z nich atómový silový mikroskop (AFM, NTegra firmy NT-MDT), ktorý je vybavený aj ďalšími sondovými technikami (MFM, EFM, STM atď). Druhou technikou je skenovací elektrónový mikroskop (SEM) FEI Inspect F50 vybavený litografickým softvérom Elphy Quantum od firmy Raith, ktorý umožňuje litografiu elektrónovým zväzkom s priestorovým rozlíšením na úrovni 20 nm.

                                       

     


    Laboratórium meraní fyzikálnych vlastností (PPMS)

    Kontakt: Ing. Kulich Miloš, PhD.

    Laboratórium zabezpečuje charakterizáciu elektrických a magnetických vlastností supravodičov, magnetických materiálov ako aj polovodičov v závislosti od teploty a vonkajšieho magnetického poľa. Ďalej ponúka meranie DC transportných vlastností, AC-suceptibility a VSM-magnetizácie v rozsahu teplôt 2.7 – 300 K a vonkajšieho magnetického poľa až do hodnoty 14 T.

    Zameranie:

    • Charakterizácia magnetických momentov supravodičov, magnetických materiálov a polovodičov
    • Meranie susceptibility širokej škály materiálov
    • Teplotné závislosti resistivity materiálov v rozsahu teplôt medzi 2.7 a 300 K
    • Analýza nevratného poľa supravodivých materiálov

                                          

     


    Laboratórium elektrickej charakterizácie polovodičových štruktúr

    Kontakt: Ing. Ťapajna Milan, PhD.

    Laboratórium poskytuje kompletné meranie elektrických charakteristík štvor- a dvoj-terminálových polovodičových štruktúr a súčiastok (transistorov, diód, MOS, MIM, and TLM štruktúr) priamo na procesovanej doske (on-wafer). Prúdovo-napäťové merania môžu byť realizované v DC alebo impulznom móde (jednokanálový alebo dvoj-kanálový systém s minimálnou šírkou impulzu 40 resp. 500 ns). K dispozícii sú aj merania kapacitno-napäťových charakteristík.

    Zameranie:

    • DC, impulzné a tranzientné merania pre elektrickú charakterizáciu III-N and III-V tranzistorov
    • Analýza rezistívneho prepínania v štruktúrach MIM
    • Analýza spoľahlivosti GaN HEMT-ov
    • Analýza tepelných efektov samoohrevu GaN HEMT-ou c využitím DC a tranzientných elektrických metodík

    Vybavenie:

    • Keithley 4200 SCS (3x SMU, PIV-A, PIV-Q, CVU) pripojaná na kontaktovaciu stanicu Wentworth PML 8000
    • Agilent 4284A LCR Meter pripojený na kontaktovaciu stanicu MDC Hot-chuck s 3x Karl Süss mikropozicionérmi
    • Keithley 2400 SourceMeter & Keithley 6517A Electrometer
    • Xe (150 W, 200 – 1100 nm) lampa vybavená mriežkovým monochromátorom

     

                  

     


    Laboratórium elektromagnetických meraní

    Kontakt: Ing. Šouc Ján, CSc.

    Meracie zariadenie pre meranie striedavých magnetizačných strát v supravodičoch vo vonkajšom striedavom magnetickom poli s amplitúdou do 100 mT pri rôznych teplotách v rozsahu od 15.5 K po izbovú teplotu s presnosťou stabilizácie teploty až 10-3K.


                                


    Laboratórium jednosmerných, nízkofrekvenčných a mikrovlnných metód charakterizácie supravodivých vrstiev a slabých väzieb

    Kontakt: RNDr. Štrbik Vladimír, CSc.

    Laboratórium je vybavené jednosmernými metódami merania teplotnej závislosti odporu supravodičov, závislosti kritického prúdu štruktúr na teplote a magnetickom poli, volt-ampérových charakteristík a ich derivácií s možnosťou dosahovať teploty v intervale 4.2-300 K a mgnetické polia až do 2 Tesla.

    Zameranie:

    • Meranie teplotných závislostí odporu supravodiča
    • Volt-ampérové charakteristiky a ich derivácie
    • Závislosti kritckého prúdu na teplote a magnetickom poli
    • Bezkontaktné určovanie kritickej teploty supravodiča
    • Metóda magnetickej modulácie mikrovlnnej absorpcie

    Vybavenie:

    • Keithley 224 prúdový zdroj
    • Keithley 2182 nanovoltmeter
    • Ithaco 3961 B dvojfázový lock-in zosilňovač
    • HP 8350B rozmietací oscilátor
    • HP 8970B merač šumu
    • HP 8757A amplitúdovo-frekvenčný analyzátor

                                      

     


    Laboratórium pre charakterizáciu MEMS prvkov

    Kontakt: Ing. Lalinský Tibor, DrSc.

       Vývoj a optimalizácia zložitej technológie MEMS prvkov si vyžaduje rozvinúť rýchle a presné metodiky ich elektro-tepelno-mechanickej charakterizácie. V laboratóriu sú vytvorené podmienky pre montáž a púzdrenie mikročipov MEMS prvkov využitím termo-kompresného ako aj ultrazvukového kontaktovania v rôznych ochranných a redukčných atmosférach (N2, H2, Ar ... ).včítane vákua.
    Zapúzdrené mikročipy je možné charakterizovať jednosmernými meraniami v širokej teplotnej oblasti (77 - 1000 K) pri rôznych ochranných atmosférach využitím analyzátora polovodičových parametrov HP 4145B. V princípe je možné realizovať merania všetkých základných elektrických a elektro-tepelných parametrov MEMS prvkov na báze elektro-tepelného mechanizmu konverzie ako sú I-U charakteristiky, prevodové charakteristiky, elektro-tepelné konverzné charakteristiky, tepelné časové konštanty, priamo v požadovanom okolitom prostredí. Uvedenými meraniami je takto možné v reálnom čase určiť a analyzovať optimálne pracovné podmienky činnosti navrhnutých MEMS prvkov. Snímacie vlastnosti MEMS senzorov plynu (citlivosť, selektivita, vysokoteplotná schopnosť snímania a snímacia časová odozva) môžu byť vyšetrované v chemickej plynovej komôrke (Obr. 1) v teplotnej oblasti až do 650 °C.

                                      

    Obr. 1.: Chemická komôrka pre testovanie snímacích vlastností MEMS senzorov plynu

    Kontakt: RNDr. Š. Haščík, PhD.


    Optické laboratórium

    Kontakt: RNDr. Kučera Michal, PhD.

    Laboratórium slúži na optickú charakterizáciu polovodičových materiálov a štruktúr. Umožňuje robiť štandardné spektroskopické techniky pri izbových, ako aj kryogénnych teplotách. Zo spektier je možné získať bohatú informáciu o skúmanom materiáli, napr. šírku zakázaného pásu, energiu rekombinácie v kvantových jamách, kryštalografickú kvalitu, identifikáciu prímesí.

    Zameranie

    • Fotoluminiscencia je najvýznamnejším nástrojom v oblasti optickej charakterizácie elektronických vlastností polovodičov
    • Fotoreflektancia poskytuje hodnoty šírky zakázaného pásu a polohy hladín v kvantových jamách s dostatočnou presnosťou aj pri izbových teplotách
    • Fotovodivosť predstavuje presný a jednoduchý nástroj na vyšetrovanie niektorých absorpčných procesov v materiáloch
    • Transmitancia poskytuje užitočnú informáciu predovšetkým z oblasti okrajov zakázaného pásu v rámci energetického spektra polovodičov.
    • Spektrálna odozva predstavuje spektrálnu závislosť  optickej odozvy experimentálnych polovodičových štruktúr a poukazuje na ich celkovú účinnosť

    Vybavenie

    • Chladenie vzoriek: optický kryostat s presným nastavením teploty v rozsahu 4-300 K
    • Budiace lasery: Hélium - Neónový (633 nm, 10 mW) Argónový iónový (488 nm, 20 mW)
    • Širokopásmový svetelný zdroj:  THL 150 W, spektrálny rozsah 300-2500 nm
    • Monochromátory: Digikrom (CVI Laser Corp., f 240 mm, rozsah 500-2800 nm), MSH-300 (LOT-QuantumDesign GmbH, f 300 mm, rozsah 250-2400 nm), SR500 (Andor Technology Ltd., f 500 mm, rozsah 250-2500 nm)
    • Detektory: PMT (TE chladenie, 200-850 nm) Si fotodióda (400-1100 nm), Ge fotodióda, RT (800-1800 nm) alebo chladená LN2 (700-1500 nm) InGaAs fotodióda chladená LN2 (rozšírený rozsah vlnových dĺžok 700-2600 nm pri izbovej teplote, 700-2250 nm pri chladení LN2), PbS fotovodivý detektor, chladený LN2 (1-4 µm)
    • „Lock-in“ zosilňovače: model 5210, EG&G Princeton Applied Research Corp.