Plazmové leptania

Laboratórium je súčasťou  Centra aplikovaného výskumu.
Umožňuje proces suchého reaktívneho iónového leptania materiálov pomocou induktívne viazanej plazmy (ICP RIE) Výskum je primárne zameraný na leptanie polovodičových materiálov GaN, AlGaN, InAlN, GaAs a InN. Zariadenie ICP RIE ponúka možnosti precízneho selektívneho reaktívneho leptania s minimálnym poškodením neleptaných materiálov. Vstupn
ý systém na vkladanie vzoriek do leptacieho zariadenia umožňuje leptanie 4palcových substrátov a tiež menších vzoriek, ktoré môžu byť uložené na nosnom substráte. Leptacie zariadenie je obsluhované z čistých priestorov pomocou riadiaceho počítača.

Zariadenie:

Oxford Plasmalab 100 Inductively Coupled Plasma (ICP) leptací systém:

  • 13.56 MHz zdroj s automatickým prispôsobením parametrov
  • 3 kW zdroj na budenie induktívne viazanej plazmy (ICP 180) s elstat. tienením
  • rozsah pracovných teplôt elektródy: – 30 + 80 °C
  • automatický 4-palcový/100 mm Load‑lock systém na vkladanie vzoriek
  • kontrolný počítač s operačným systémom Windows 7 a ovládacím softvérom PC2000

Využitie:

  • selektívne leptanie polovodičových materiálov: GaN, AlGaN, InAlN, GaAs, InN pomocou chlórovej chémie (aj s prímesami fluóru)
  • leptanie heteroštruktúr: AlGaAs, GaAs, InGaAs, InP s použitím SiCl4/Cl2, BCl3/Cl2, a Cl2/Ar
  • leptanie SiO2, Si3N4 a SiC s použitím plynov CF4 a SF6

Kontakt: RNDr. Š. Haščík, PhD., tel.: 02-5941 1272, 421-2-5922 2956

Prístup: na objednávku

Cena:  na základe cenovej ponuky (náklady spojené s prevádzkou zariadenia)

 

Do procesnej komory je možné vložiť 100 mm/4-palcový substrát

Riadiaci počítač so softvérom PC2000 a Load-lock systém sa nachádzajú v čistých priestoroch