Mikroelektronické, mikromechanické a senzorové prvky a štruktúry

Pracovníci | Publikácie

 

 

Mikroelektronické, mikromechanické a senzorové prvky a štruktúry

Motiváciou pre takýto výskum bola primárna potreba mikrosenzorov schopných pracovať v extrémnych podmienkach vysokých teplôt a chemicky agresívnych prostredí. Nové materiály ako skupina III-nitridov sú veľmi atraktívne pre výrobu elektronických obvodov i senzorov pracujúcich pri vysokých teplotách. V súčasnosti sa k tejto téme pridala aj analýza a simulácia Schottkyho kontaktov na 4H-SiC, ktorý sa v oddelení úspešne študuje v súvislosti s prípravou detektorov ionizujúceho žiarenia s povrchovou bariérou.

Na výskum a vývoj MEMS senzorov sme v našom oddelení zaviedli stratégiu na báze iterácie krokov vychádzajúcich z originálnej myšlienky:

  • Modelovanie a simulácia – tvorba modelov; simulácia mechanických a elektrických vlastností a správania sa štruktúr
  • Procesná technológia – výroba MEMS a elektronických komponentov využitím mikrosystémových technológií
  • Hodnotenie funkčnosti – elektrická/tepelná/mechanická/štrukturálna analýza za pomoci (bez)kontaktných charakterizačných metód
  • Overenie modelu – získané výsledky slúžia na ladenie parametrov modelu pre jeho lepšie pochopenie i ďalšie vyladenie

 

 

Technológia je aplikovateľná v oblasti senzoriky v extrémnych podmienkach pre detekciu a meranie dynamických tlakových javov ako napríklad spaľovacie a raketové motory; monitoring tlaku v priemyselných turbínach; dynamika tlakových vĺn.

 

Súčasné publikácie:

Osvald, J.: Intersection of 4H-SiC Schottky diodes I–V curves due to temperature dependent series resistance, Semicond. Sci Technol. 37 (2022) 125003.

Osvald, J., Hrubčín, L., and Zaťko, B.: Temperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky diodes, Mater. Sci Semicond. Process. 140 (2022) 106413.

Osvald, J., Hrubčín, L., and Zaťko, B.: Schottky barrier height inhomogeneity in 4H-SiC surface barrier detectors, Applied Surface Sci 533 (2020) 147389.

Osvald, J., Lalinský, T., and Vanko, G.: High temperature current transport in gate oxides based (GaN)/AlGaN/GaN Schottky diodes, Applied Surface Sci 461 (2018) 206-211.

Chromik, Š., Španková, M., Talacko, M., Dobročka, E., and Lalinský, T.: Some peculiarities at preparation of Bi4Ti3O12 films for bolometric applications, Applied Surface Sci 461 (2018) 39-43.

Osvald, J.: Fast and slow traps in Al2O3/(GaN)/AlGaN/GaN heterostructures studied by conductance technique, Physica E 97 (2018) 126-129.

Osvald, J., Vanko, G., Chow, L., Chen, N.C., and Chang, L.B.: Transition voltage of AlGaN/GaN heterostructure MSM varactor with two-dimensional electron gas, Microelectron. Reliab. 78 (2017) 243–248.