Laboratórium UHV Ion Beam Deposition Sputter System


Depozícia metódou DIBS je v súčasnosti považovaná za jednu z najvhodnejších metód umožňujúcich prípravu periodických a aperiodických kovových multivrstvových štruktúr aj s vysokým počtom vrstiev (rádovo niekoľko 100).
V súčasnosti je považovaná za najperspektívnejšiu pre prípravu magnetických multivrstiev a multivrstiev pre rtg optiku.
Naše originálne analýzy multivrstvových rozhraní metódou malouhlového rtg rozptylu jednoznačne ukázali, že pre kovové ultratenké vrstvy a multivrstvy je najvhodnejšou depozičnou technikou z hľadiska kvality rozhraní i individuálnych vrstiev pre systémy kov/kov resp. kov /polovodič.
Významnou prednosťou DIBS systémov je skutočnosť, že iónové zdroje pracujúce na princípe elektrónovej cyklotrónovej rezonancie môžu pracovať pri tlaku argónu 10-7 Pa, čo je o dva rády nižší tlak, než umožňuje magnetrónové naprašovanie.
DIBS umožňuje pripravovať periodické i aperiodické multivrstvové štruktúry s vysokou kvalitou individuálnych vrstiev (hustota a optické parametre blízke objemovým, veľmi nízka drsnosť rozhraní a povrchov (menej ako 0.3 nm), absencia kolumnárneho rastu pri depozícii). Prítomnosť dvoch ionových zdrojov umožňuje ďalšie spracovanie vrstvy ionovým zväzkom in situ bezprostredne po depozícii a modifikáciu povrchov vrstiev či už z hľadiska morfológie alebo chemickú.
Na Slovensku dosiaľ takéto zariadenie nebolo.




UHV Ion Beam Deposition Sputter System DHM 2637