Patenty

Podávanie patentu na ElÚ SAV

Kontakt: Ing. Gabriel Vanko, PhD.
Kancelária pre transfer technológií, poznatkov a ochranu duševného vlastníctva Slovenskej akadémie vied: www.ktt.sav.sk 

Zoznam patentov a patentových prihlášok

2015

  • Šouc, J., Gömöry, F., Vojenčiak, M., Soloviov, M., Kováč, J., and Štefánik. S.: Supravodivá cievka a napájací supravodivý kábel. PP 50063-2015.
    Anotácia:
    Podstatou navrhovaného predmetu priemyselného vlastníctva je spôsob chladenia supravodivých vodičov na dostatočne nízku teplotu pomocou prietoku kryogénnej kvapaliny cez trubku s dobrou tepelnou vodivosťou, na ktorej sú tieto vodiče umiestnené, v kombinácii s ich tepelným izolovaním od okolitej izbovej teploty pomocou materiálu s dostatočne nízkou tepelnou vodivosťou, bez potreby využitia nádoby s vákuovými stenami slúžiacimi ako tepelná izolácia alebo bez potreby ich chladenia priamo v kúpeli kryogénnej kvapaliny.

2014 

  • Sojková, M. a Chromik, Š.: Stabilný naprašovací terč pre prípravu prekurzorových vrstiev vhodných pre prípravu vysokoteplotných supravodičov na báze tália a ortuti. PP 50057-2014.
    Anotácia:
    Vynález rieši veľmi rýchly a jednoduchý spôsob prípravy Ba-Ca-Cu-O,F naprašovacieho terča s vysokou stabilitou slúžiaceho na prípravu prekurzorových vrstiev vhodných na prípravu vysokoteplotných supravodičov na báze tália a ortuti s využitím fluoridových prekurzorov.

2013 

  • Dzuba, J., Lalinský, T., Rýger, I., Vallo, M., and Vanko, G.: MEMS tlakový senzor s tranzistorom s vysokou pohyblivosťou elektrónov a spôsob jeho výroby. PP 94-2013.
    Anotácia:
    MEMS tlakový senzor s tranzistorom s vysokou pohyblivosťou elektrónov je skonštruovaný tak, že jeho kruhovú alebo prstencovú membránu alebo membránu v tvare časti písmena „C„ tvorí aktívna hetero-štruktúra AlGaN/GaN snímacieho prvku C-HEMT s prípadnou vrstvou Si substrátu, ktorý obsahuje aspoň jednu vnútornú a aspoň jednu vonkajšiu Schottkyho hradlovú snímaciu elektródu (1, 2). Vnútorná Schottkyho hradlová snímacia elektróda (1) je umiestnená až k polomeru (ri) prstencovej oblasti zmeny charakteru mechanických napätí. Vonkajšia Schottkyho hradlová snímacia elektróda (2) je umiestnená nad polomerom (ri) prstencovej oblasti zmeny charakteru mechanických napätí. Pritom platí vzťah: ri = [ c + b / ( hm + a ) ] . rm - q, kde: (hm) je hrúbka membrány a (rm) je polomer membrány. 
  • Kuzmík, J.: Obohacovací III-Ntranzistor s N-polaritou a spôsob jeho prípravy. PP 67-2013.
    Anotácia:
    Obohacovací III-N tranzistor s N polaritou pozostáva odspodu z nasledujúcich vrstiev: spodnej bariérovej vrsty (1), kanálovej vrstvy (2), vrchnej bariérovej vrsty (3) ktorej chemické zloženie je rozdielne od zloženia spodnej bariérovej vrstvy a z dielektrickej izolácie hradla (4) , pričom rozhranie vrchná bariérová vrstva/kanálová vrstva vykazuje záporný polarizačný náboj, ktorého absolútna hodnota je väčšia ako kladný polarizačný náboj na rozhraní kanálová vrstva/spodná bariérová vrstva. Riešenie prináša možnosť jednoduchej a voľnej nastaviteľnosti VT,  v spojení s kanálovou vrstvou na báze InN možnosť integrácie s ochudobňovacím tranzistorom  a vysokú homogenitu a reprodukovateľnosti VT oboch typov tranzitorov.
  • Sojková, M. a Chromik, Š.: Spôsob tvarovania tenkých supravodivých vrstiev na báze tália. PP 5030-2013.
    Anotácia:
    Cieľom práce bolo nájsť rýchly a efektívny spôsob tvarovania tenkých supravodivých vrstiev na báze tália mokrou cestou. Doteraz sa na mokré leptanie tenkých táliových supravodivých vrstiev úspešne využívali napríklad di- a trikarboxylové kyseliny ako kyselina jantárová, šťaveľová, malónová, citrónová, adipová alebo vínna. Rýchlosť leptania je nízka (od 0.3 do 0.6 nm / s). Takisto je možné použiť kyselinu etyléndiamíntetraoctovú (H4EDTA) a jej sodné soli, pričom je však počas leptania potrebné udržiavať pH roztoku a jeho prebublávanie dusíkom, rýchlosť leptania je približne 1 nm / s. Hlavné nedostatky týchto metód tvarovania spočívali v nízkej rýchlosti leptania a selektívneho leptania. Vyššie uvedené problémy rieši použitie leptadla na báze jodidu draselného. Vynález slúži na prípravu tenkovrstvových štruktúr supravodičov na báze tália pomocou fotolitografie a mokrého leptania. Ako leptadlo sa využíva vodný roztok jodidu draselného, kyseliny chlorovodíkovej a kyseliny askorbovej. Proces leptania je dostatočne rýchly (okolo 15 nm / s), na povrchu podložky nezostávajú reziduá a nedochádza k degradácii supravodivých vlastností. 

2011 

  • Kunzo, P. a Lobotka, P.: Spôsob prípravy plynového senzora citlivého prevažne na vodík a amoniak. PCT/SK2011/050024.
    Anotácia:
    Senzor pre presné skúmanie a analýzu plynov, prevažne vodíka a/alebo amoniaku, využitím elektrických a elektrochemických spôsobov. Snímací element senzora pozostáva z vodivého polyméru, ktorého povrch je spracovaný v plazmatickom výboji s tepelnou kinetockou energiou elektrónov od 1 do 10 eV a hustotou 1014 to 1018 m-3. Plazma je generovaná v kyslíkovej atmosfére alebo po plazmovom spracovaní v inej atmosfére nasleduje vystavenie senzora pôsobeniu plynu obsahujúcemu kyslík. Vodivý polymér je polyanilín alebo polypyrol alebo polytiofén alebo ich kombinácia. 

2010 

  • Šoltýs, J., Cambel, V., Fröhlich, K., Hušeková, K., Karapetrov, G., and Šatka, A.: Tvrdý hrot pre skenovaciu mikroskopiu a spôsob jeho výroby. PP 5041-2010.  
  • Šouc, J., Vojenčiak, M., and Gömöry, F.: Spôsob úpravy supravodivého kábla. PP 5043-2010.
    Anotácia:
    Riešenie sa týka spôsobu úpravy supravodivého kábla, ktorý spočíva v tom, že nad medzery medzi supravodivými páskami umiestnenými po obvode kruhového tvarovacieho člena v jednej vrstve sa umiestnia feromagnetické pásky.
  • Ušák, P., Mozola, P. a Polák, M.: Spôsob mapovania vybranej zložky vlastného magnetického kábla. SK Patent No. 287557. 
    Anotácia:
    Spôsob podľa vynálezu spočíva v tom, že sa vybraná zložka magnetického poľa, volená pokiaľ možno kolmo na dominantnú zložku externého poľa, mapuje v dvoch na seba kolmých dráhach dvojicami Hallových sond, orientovanými vzájomne kolmo, a to tak, že po pootočení sond o 90° vzhľadom na os kábla sa zachová meranie tej istej vybranej zložky magnetického poľa (ale druhou dvojicou Hallových sond). Napríklad prvá dvojica bude mapovať vertikálne vľavo a vpravo od stredu prierezu kábla a druhá hore nad a dolu pod okrajmi prierezu kábla. V každom bode takto zmapovaného meracieho rámca získame hodnotu vybranej zložky magnetického poľa. Mapovanie posúvaním dvojíc sond v smeroch kolmých na seba vzhľadom na prierez kábla je praktické a poskytuje oveľa viac bodov než meranie fixnými hlavicami s Hallovými sondami rozmiestnenými do kruhu. Doterajšie metódy merajú radiálne a azimutálne zložky poľa s premenným vkladom externého poľa do meranej hodnoty v závislosti od polohy a orientácie sondy. Pri meraní podľa vynálezu je vklad externého poľa potlačený a rozloženie vlastného poľa v okolí kábla sa zmapuje oveľa hustejšou sieťou. Metóda je univerzálna, ale uplatnenie nájde hlavne pri mapovaní vlastných polí supravodivých káblov na transport prúdu, prípadne pri kábloch pre vinutia magnetických nádob na termojadrovú fúziu. V supravodivých kábloch je potrebné mapovať vlastné magnetické pole, pretože nerovnomerné rozloženie prúdu je príčinou zníženia teoretickej prúdovej kapacity kábla a limituje jeho použiteľnosť. 

2009 

  • Vincenc Oboňa, J. and Chromik, Š.: Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike s použitím fullerénu C60. Patent No. 286586.
    Anotácia: 
    Pri výrobe štruktúr s využitím tvarovaných tenkých vrstiev YBCO, potrebných pre kryoelektroniku, sa často stáva, že použitá maska v kombinácii s použitým leptadlom nezabezpečí kvalitný výsledok. Objavujú sa chyby nedokonale odleptaných plôch so zvyškami rezíduí, chyby následkom podleptania vytvarovaných motívov atď. Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú optickou litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60, spôsobilá kvalitne zabezpečiť leptanie v brometylalkohole, ktorý je považovaný za najlepšie leptadlo na YBCO.

2003 

  • Dubecký, F., Darmo, J., Pelfer, P.G., Kordoš, P., a Förster, A.: Detektor ionizujúceho žiarenia a spôsob jeho prípravy. Patent No. 282934.
    Anotácia:
    Detektor ionizujúceho žiarenia na báze polovodičovej zlúčeniny GaAs so sendvičovým usporiadaním elektród a spôsob jeho prípravy. GaAs podložka (5) má aspoň na jednej strane (3, 4) deponovanú monokryštalickú homoepitaxnú nestechiometrickú LTG vrstvu (6) GaAs s aspoň 0,3 % prebytkom As, koncentráciou pascí väčšou ako 10exp(17) cm-3, s hrúbkou (d6) aspoň 20 nm a s odleptanou nestechiometrickou LTG vrstvou (6), tvoriacou okná (7). Na druhej strane (4, 3) podložky (5) a na častiach s odleptanou nestechiometrickou LTG vrstvou (6) má nanesené metalizácie (8, 9) elektród (1, 2). Detektor sa pripraví tak, že nestechiometrická LTG vrstva sa deponuje metódou epitaxného rastu z molekulového zväzku (MBE) Ga a As pri teplote GaAs podložky v rozsahu 180 až 350 °C a následne sa vyžíha pri teplote nad 450 °C, resp. sa nestechiometrická vrstva deponuje metódou MBE pri teplote GaAs podložky 320 až 420 °C, bez následného žíhania.

Informácie

Na stránke MatNet nájdete všetko o patentoch.

Vyhľadávanie patentu: European Patent Office

On - line prístup ku konkrétnemu patentu

Aktualizované: 25.04.2016