Projektová činnosť

Národné

Výskum a vývoj kontaktov pre nové materiály a súčiastky
Contact engineering for advanced materials and devices
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc.
Anotácia: Intenzívny výskum kontaktu kovu a polovodiča sa uskutočňuje už dlhý čas. Zaujímavé typy transportu náboja, nové materiály a súčiastky a nové mechanizmy vytvárania kontaktov si však vyžadujú nový pohľad a výskum.Naším cieľom je určiť procesy a fyzikálne javy, ktoré stoja za metalizačnými schémami pre tranzistory pracujúcev obohacovacom režime, s dierovou vodivosťou a vysokou pohyblivosťou na báze InAlN, ako to predpokladá nášnávrh súčiastky. InAlN s vysokou molárnou frakciou InN bude dotovaný Mg a bude potrebné optimalizovať kontakty.Nové dichalkogenidové (TMDCs) materiály z prechodových kovov sú pre aplikácie v súčiastkách veľmi sľubné.Metalizačné schémy pre TMDC sú však veľmi náročné. TMDC vykazujú rôzne šírky zakázaného pásu vzávislosti od ich hrúbky. Naším cieľom je študovať metalizačné schémy pre TMDC, ich topológiu a vysvetliťrozdiely medzi exfoliovanými a narastenými vziorkami a rozdiely medzi rôznymi typmi tranzistorov v korelácii sich základnými fyzikálnymi vlastnosťami.
Doba trvania: 1.1.2021 – 31.12.2024
SENAD – Polovodičové nanomembrány pre hybridné súčiastky
Semiconductor nanomembranes for hybrid devices
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kúdela Róbert, CSc.
Anotácia: Projekt sa zaoberá prípravou a skúmaním fyzikálnych vlastností nanomembrán na báze GaAs a GaN, ako aj ich využitím v nových hybridných súčiastkach, ktoré nemôžu byť efektívne pripravované súčasnou monolitickou technológiou. Nanomembrány môžeme popísať ako monokryštalické štruktúry s hrúbkou do stoviek nanometrov a pozdĺžnymi rozmermi aspoň o dva rády väčšími, a ktoré boli separované od pôvodného substrátu a sú voľne stojace, alebo uchytené na náhradnom substráte. Na niektoré vybrané nanomembrány budú nanesené tenké organické filmy, ktoré môžu modifikovať ich vlastnosti.
Doba trvania: 1.7.2016 – 31.12.2019