Kontakt
Intranet
EN
Medzinárodné
| Príprava a charakterizácia pokročilých GaN nano-hetero-štruktur | |
| Advanced GaN nano-hetero-structures – preparation and characterization | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2017 – 31.12.2017 |
| ERG – Zelená energia pre spoločnosť | |
| Energy for a Green Society | |
| Program: | ENIAC |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.6.2011 – 31.5.2014 |
| Nová výkonná optika pre infračervenú oblasť založená na gáliumfosfide VGF GaP | |
| New power optics for infrared range based on gallium phosphide | |
| Program: | EUREKA |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.3.2007 – 1.4.2010 |
| Supravodivé pásky a polovodičové kvantové bodky: nanoštruktúry pre súdobé informatické a energetické technológie | |
| Superconducting tapes and semiconductor quantum dots: nanostructures for todays information and energy technologies | |
| Program: | Bilaterálne – iné |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2008 – 31.12.2009 |
| Pokročilé nanoštruktúry a materiály pre využitie v informačných a energetických technológiách. Štrukturálne aspekty | |
| Advanced nanostructures and materials for applications in informations and energy Technologies. Structural and electrotechnical aspects | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2006 – 31.12.2007 |
| – | |
| Investigation of metal-insulator-semiconductor structures of GAN for high-frequency and high-power devices | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2005 – 31.12.2006 |
| Štúdium GaN heteroštruktúr (kov-izolant-polovodič) | |
| Investigation of metal-insulator-semiconductor structures of GAN for high-frequency and high-power devices | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2005 – 31.12.2006 |
| VGFGAPLED – Gálium fosfidové substráty pripravené metódou VGF pre použitie na prípravu luminiscenčných diód | |
| New gallium phosphide grown by vertical gradient freeze method for light emitting diodes | |
| Program: | 6RP |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Anotácia: | Cieľom projektu bolo vyvinúť technológiu prípravy polovodičových GaP substrátov pomocou metódy VGF. Základný európsky rozmer projektu bol určený skutočnosťou, že napriek obrovskému svetovému boomu v oblasti luminiscenčných diód s vysokou svietivosťou, sa substráty na ich výrobu dovážajú z JaponskaÚloha ElÚ SAV je skoncentrovaná do dvoch balíkov-workpackagov.:1. overenie kvality finalizácie substrátov GaP, v podstate ide o zistenie, či ide o kvalitu "epi-ready", ak nie navrhnúť zmany v technológii finalizácie a následne epitaxnými rastami v aparatúre MOCVD overiť ich účinnosť2. návrh a vývoj techniky epitaxného rastu p aj n vrstiev GaP resp. vývoj quaternárneho polovodičového tuhého roztoku InGaAsP vhodného pre použitie v luminiscenčných diódach s vysokou svietivosťou |
| Doba trvania: | 1.2.2002 – 1.8.2005 |
Národné
| Fotonické laboratórium na čipe: výskum a vývoj platformy plazmonického senzora pre okamžitú detekciu zložiek v roztokoch | |
| Photonic Lab-on-a-Chip: investigation and development of plasmonic sensor platform for immediate detection of composites in solutions | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2021 – 31.12.2024 |
| Nanooptické sondy a senzory integrované na optickom vlákne | |
| Nano-optical probes and sensors integrated on optical fiber | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.8.2021 – 31.12.2024 |
| Výskum a vývoj kontaktov pre nové materiály a súčiastky | |
| Contact engineering for advanced materials and devices | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | RNDr. Gregušová Dagmar, DrSc. |
| Anotácia: | Intenzívny výskum kontaktu kovu a polovodiča sa uskutočňuje už dlhý čas. Zaujímavé typy transportu náboja, nové materiály a súčiastky a nové mechanizmy vytvárania kontaktov si však vyžadujú nový pohľad a výskum.Naším cieľom je určiť procesy a fyzikálne javy, ktoré stoja za metalizačnými schémami pre tranzistory pracujúcev obohacovacom režime, s dierovou vodivosťou a vysokou pohyblivosťou na báze InAlN, ako to predpokladá nášnávrh súčiastky. InAlN s vysokou molárnou frakciou InN bude dotovaný Mg a bude potrebné optimalizovať kontakty.Nové dichalkogenidové (TMDCs) materiály z prechodových kovov sú pre aplikácie v súčiastkách veľmi sľubné.Metalizačné schémy pre TMDC sú však veľmi náročné. TMDC vykazujú rôzne šírky zakázaného pásu vzávislosti od ich hrúbky. Naším cieľom je študovať metalizačné schémy pre TMDC, ich topológiu a vysvetliťrozdiely medzi exfoliovanými a narastenými vziorkami a rozdiely medzi rôznymi typmi tranzistorov v korelácii sich základnými fyzikálnymi vlastnosťami. |
| Doba trvania: | 1.1.2021 – 31.12.2024 |
| Fotonické nanoštruktúry pripravené laserovou 3D litografiou pre biosenzory | |
| Photonic nanostructures prepared by 3D laser lithography for biosensing | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2017 – 31.12.2020 |
| Moderné nanoštruktúry pripravené sofistikovanou MOVPE technológiou | |
| Advanced nanostructures prepared by sophisticated MOVPE technology | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Anotácia: | Projekt sa zaoberá výskumom moderných polovodičových nanoštruktúr pripravených technológiou MOVPE.Cieľom projektu je zdokonaliť technológiu prípravy nanoštruktúr v porovnaní s doteraz dosiahnutým stavom tak(technikou VLS), aby sme mohli pripraviť štruktúry s presne definovanými vlastnosťami určené na špičkovéaplikácie. Využijeme možnosti nového laboratória MOVPE, v ktorom bola spustená nová MOVPE aparatúra namateriálový systém na báze GaN a teda (i)môžeme pripravovať nanoštruktúry pripravené v systéme III-V a III-Na zvoliť materialový systém vhodnejší pre danú aplikáciu, (ii) sústredíme sa na získanie nových poznatkov ozmene rastových podmienok MOVPE s cieľom zmapovať rastový transfer od nanodrôtov k nanokužeľom, (iii)získame nové poznatky o depozícii kovových nanozŕn na povrch nanodrôtov a nanokúžeľov s cieľom zdokonalťich vlastnosti pre SERS experimenty. |
| Doba trvania: | 1.1.2017 – 31.12.2020 |
| Univerzálna nanoštrukturovaná platforma pre interdisciplinárne použitie | |
| Universal nanorod platform for interdisciplinary applications | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2015 – 31.12.2018 |
| Fotonické štruktúry pre integrovanú optoelektroniku | |
| Photonic structures for integrated optoelectronics | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.10.2013 – 31.12.2016 |
| Nanoštruktúry a ich aplikácie v optoelektronických súčiastkach | |
| Advanced nanostructures for application in optoelectronic devices | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2013 – 31.12.2016 |
| Výskum prípravy moderného polovodičového materiálu a substrátov VGF GaP o priemere 100 mm pre potreby konverzie CO2 na užitočné chemikálie | |
| Research and development of advanced semiconductor material and substrates VGF GaP with 100 nm diameter for conversion of CO2 into value addeed chemicals | |
| Program: | Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.2.2012 – 30.11.2015 |
| GRONA – Príprava nanodrôtov pre fotovoltaické aplikácie | |
| Growth of nanowires for photovoltaic applications | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.5.2011 – 31.10.2014 |
| Moderné polovodičové súčiastky s precízne navrhnutou pásovou štruktúrou a povrchovými vlastnosťami | |
| Advanced semiconductor structures with tailored band-gap structure and surface properties | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2009 – 21.12.2012 |
| MOS HFET tranzistory na báze III-V polovodičov pre vysokoteplotné aplikácie | |
| MOS HFET transistors based on III-N semiconductors for high temperature applications | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.9.2009 – 30.8.2012 |
| Syntéza nitridu hliníka AlN na báze PBN technológie | |
| AlN synthesis based on PBN technology | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.9.2009 – 30.9.2011 |
| CENAMOST – Centrum excelencie NAno-/mikro-elektronických, optoelektronických a senzorických technológií | |
| Centre of Excellence in Nano-/Micro-electronic, Optoelectronic and Sensoric Technologies | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2008 – 30.6.2011 |
| Epi-ready substráty VGF GaP (S) | |
| Epi-ready substrates VGF GaP (S) | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.6.2008 – 31.12.2010 |
| INFRALENS – Nová optika založená na VGFGaP pre infračervené senzory | |
| New power optics for infrared range based on gallium phosphide | |
| Program: | Podpora MVTS z prostriedkov SAV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 16.7.2009 – 31.12.2009 |
| Nová výkonná optika pre infračervenú oblasť založená na gáliumfosfide VGF GaP | |
| New power optics for infrared range based on gallium phosphide | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.2.2007 – 31.12.2009 |
| Výskum vzniku a vlastností pyrolytického nitridu bóru-PBN | |
| Research work on formation and properties of pyrolytic boron nitride | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2008 – 31.12.2009 |
| Nanorozmer a jeho vplyv na vlastnosti MOCVD polovodičových vrstiev a štruktúr | |
| Nanodimension and its influence on properties of movpe semiconductor layers and structures | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Anotácia: | Cieľom projektu je skúmanie vlastností nanorozmerov na výsledné vlastnosti polovodičových štruktúr pripravených technológiou MOVPE. Špeciálny dôraz sa kladie na možnosť prípravy feromagnetických polovodičov s Curieho teplotou vyššou ako izbová teplota a použitie týchto materiálov na rast kvantových magnetických bodiek. |
| Doba trvania: | 1.1.2006 – 1.12.2008 |
| Epitaxné heteroštruktúry pre luminiscenčné diódy s vysokou svietivosťou pripravené na základe substrátov GaP | |
| – | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef, DrSc. |
| Anotácia: | Cieľom tohoto projektu je pripraviť prispôsobovaciu medzivrstvu ternárneho tuhého roztoku InxGa1-xP technológiou epitaxného rastu z organokovových pár (technológia MOCVD) na substráte GaP tak, aby bola vytvorená kryštalograficky kvalitná podložka pre prípravu AlGaInP luminiscenčných diód s vysokou svietivosťou. Pre dosiahnutie tohto cieľa bude potrebné zdokonaliť technológiu MOCVD rastu tak, aby pomocou systému prispôsobovacích vrstiev (tzv. buffer systém) bolo možné dosiahnuť zmenu mriežkovej konštanty polovodičovej monokryštalickej podložky z 0,545 nm (mriežková konštanta GaP) na 0.56 nm. Kvaternárny AlGaInP polovodič s touto mriežkovou konštantou má priamu štruktúru energetických pásov (na rozdiel od nepriameho polovodiča GaP), čo ho robí materiálom vhodným pre prípravu luminiscenčných diód (LED) svietiacich v zelenej, resp. oranžovej oblasti. Súčasťou riešenia tohoto problému bude získavanie nových poznatkov o povrchovej morfológii, kryštalografických, elektrických a optických vlastnostiach zhotovenej štruktúry. |
| Doba trvania: | 1.2.2004 – 31.12.2006 |