Kontakt
Intranet
EN
Medzinárodné
| Pulzná laserová depozícia 2D polovodičov na nitridy pre pokročilú elektroniku | |
| PULSEd laser deposition of 2D semiconductors on nitrides for advanced electronics | |
| Program: | Bilaterálne – iné |
| Zodpovedný riešiteľ: | RNDr. Španková Marianna, PhD |
| Doba trvania: | 1.1.2021 – 31.12.2022 |
Národné
| Modifikácia vlastností supravodivých, feromagnetických oxidových vrstiev a štruktúr pre modernú elektroniku | |
| Modification of properties of superconducting, ferromagnetic, oxide films and structures for advanced electronics | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | RNDr. Španková Marianna, PhD |
| Anotácia: | Predmetom projektu je príprava a štúdium oxidových – feromagnetických, a dielektrických perovskitovských tenkých vrstiev a štruktúr mikro a nanorozmerov ako aj vybraných aktuálnych supravodivých vrstiev. YBa2Cu3Ox (YBCO) a La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO) mikropásky budú vystavené pôsobeniu rôznych typov dlhých organických molekúl s cieľom študovať ich vplyv na zmenu supravodivých a feromagnetických vlastností. V náväznosti na výsledky predchádzajúceho Vega projektu budeme pokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S, pričom sa zameriame na vytváranie magnetických nehomogenít s cieľom zvýšiť tripletnú zložku supravodivosti a objasniť vzájomnú interakciu tesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt). V rámci projektu preskúmame možnosť supravodivého správania dvojdimenzionálneho systému MoS2 naneseného pulznou laserovou depozíciou. |
| Doba trvania: | 1.1.2022 – 31.12.2025 |
| Príprava, charakterizácia a dopovanie ultratenkých vrstiev dichalkogenidov prechodných kovov | |
| Fabrication, characterization, and doping of ultra-thin layers of transition metal dichalcogenides | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | Mgr. Sojková Michaela, PhD. |
| Anotácia: | Vďaka neobvyklým fyzikálnym vlastnostiam sú dvojrozmerné materiály intenzívne študované už niekoľko rokov.Zaujímavou skupinou z tejto triedy materiálov sú dichalkogenidy prechodných kovov (TMD). Majú hexagonálnuštruktúru, v ktorej sú jednotlivé vrstvy navzájom viazané len slabými Van der Waalsovými väzbami. Tospôsobuje výrazne anizotrópne vlastnosti týchto materiálov a má podstatný vplyv na ich elektronickú štruktúru.Preto niektoré z nich vykazujú fyzikálne zaujímavé korelované stavy (supravodivosť, vlny nábojovej hustoty).Primárnym cieľom tohto projektu je príprava a štúdium vlastností tenkých vrstiev dvoch rôznych TMD materiálov– MoS2 a PtSe2, a sledovanie vplyvu dopovania katiónmi lítia a sodíka na elektrické a štruktúrne vlastnostitýchto vrstiev. Sekundárnym cieľom projektu je optimalizácia rastu a dopovania tak, aby zlepšené parametretenkých vrstiev, ako sú napr. elektrická vodivosť a mobilita nosičov náboja, umožnili prípravu funkčnýchelektronických prvkov – tranzistorov. |
| Doba trvania: | 1.1.2021 – 31.12.2024 |
| Perovskitovské tenké vrstvy a štruktúry vhodné pre modern elektroniku a senzoriku | |
| Perovskite thin films and structures for modern electronics and sensorics | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | RNDr. Španková Marianna, PhD |
| Anotácia: | Predmetom projektu je príprava a štúdium feromagnetických, supravodivých a dielektrických perovskitovskýchtenkých vrstiev (do 100 nm) a štruktúr mikro a nanorozmerov. Supravodivé mikropásky YBa2Cu3Ox budúožarované elektrónmi (30keV) s cieľom vytvoriť kanály ľahkého pohybu vírov. Ďalej sa zameriame na detailnéštúdium rozhrania podložka Si/dielektrická vrstva s využitím netradičných materiálov (SrO,TiN) s cieľom umožniťepitaxný rast oddeľovacích vrstiev nevyhnutných pre realizáciu bolometrov na báze La0.67Sr0.33MnO3 vrstievpracujúcich pri izbovej teplote (nechladené) v oblasti THz frekvencií. Pri vývoji nových typov bolometrovposúdime okrem dosiaľ študovaného materiálu Bi4Ti3O12 viacero typov iných oddeľovacích vrstiev. Budemepokračovať v štúdiu štruktúr supravodič S/feromagnetikum F a S/F/S s cieľom objasniť vzájomnú interakciutesne naviazaných S a F perovskitovských vrstiev (proximitný efekt).Z aplikačného hľadiska použitie pí-typu Josephsonovho spoja môže riešiť problematiku– kvantového bitu (qubit). |
| Doba trvania: | 1.1.2018 – 31.12.2021 |