Kontakt
Intranet
EN
Medzinárodné
| SAFEMOST – Vysokobezpečný GaN MOS spínací tranzistor | |
| Highly Safe GaN Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Switch | |
| Program: | International Visegrad Found (IVF) |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján DrSc. |
| Web stránka projektu: | http://www.safemost.sav.sk/ |
| Doba trvania: | 1.10.2015 – 30.3.2019 |
| Príprava a charakterizácia pokročilých GaN nano-hetero-štruktur | |
| Advanced GaN nano-hetero-structures – preparation and characterization | |
| Program: | Medziakademická dohoda (MAD) |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef DrSc. |
| Doba trvania: | 1.1.2017 – 31.12.2017 |
Národné
| Fotonické nanoštruktúry pripravené laserovou 3D litografiou pre biosenzory | |
| Photonic nanostructures prepared by 3D laser lithography for biosensing | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2017 – 31.12.2020 |
| Moderné nanoštruktúry pripravené sofistikovanou MOVPE technológiou | |
| Advanced nanostructures prepared by sophisticated MOVPE technology | |
| Program: | VEGA |
| Zodpovedný riešiteľ: | doc. Ing. Novák Jozef DrSc. |
| Anotácia: | Projekt sa zaoberá výskumom moderných polovodičových nanoštruktúr pripravených technológiou MOVPE.Cieľom projektu je zdokonaliť technológiu prípravy nanoštruktúr v porovnaní s doteraz dosiahnutým stavom tak(technikou VLS), aby sme mohli pripraviť štruktúry s presne definovanými vlastnosťami určené na špičkovéaplikácie. Využijeme možnosti nového laboratória MOVPE, v ktorom bola spustená nová MOVPE aparatúra namateriálový systém na báze GaN a teda (i)môžeme pripravovať nanoštruktúry pripravené v systéme III-V a III-Na zvoliť materialový systém vhodnejší pre danú aplikáciu, (ii) sústredíme sa na získanie nových poznatkov ozmene rastových podmienok MOVPE s cieľom zmapovať rastový transfer od nanodrôtov k nanokužeľom, (iii)získame nové poznatky o depozícii kovových nanozŕn na povrch nanodrôtov a nanokúžeľov s cieľom zdokonalťich vlastnosti pre SERS experimenty. |
| Doba trvania: | 1.1.2017 – 31.12.2020 |
| SENAD – Polovodičové nanomembrány pre hybridné súčiastky | |
| Semiconductor nanomembranes for hybrid devices | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kúdela Róbert CSc. |
| Anotácia: | Projekt sa zaoberá prípravou a skúmaním fyzikálnych vlastností nanomembrán na báze GaAs a GaN, ako aj ich využitím v nových hybridných súčiastkach, ktoré nemôžu byť efektívne pripravované súčasnou monolitickou technológiou. Nanomembrány môžeme popísať ako monokryštalické štruktúry s hrúbkou do stoviek nanometrov a pozdĺžnymi rozmermi aspoň o dva rády väčšími, a ktoré boli separované od pôvodného substrátu a sú voľne stojace, alebo uchytené na náhradnom substráte. Na niektoré vybrané nanomembrány budú nanesené tenké organické filmy, ktoré môžu modifikovať ich vlastnosti. |
| Doba trvania: | 1.7.2016 – 31.12.2019 |
| Tranzistory s InN-kanálom pre THz mikrovlny a logiku | |
| Transistors with InN channel for THz microwaves and logic | |
| Program: | APVV |
| Zodpovedný riešiteľ: | Ing. Kuzmík Ján DrSc. |
| Doba trvania: | 1.7.2016 – 30.6.2019 |