Projektová činnosť

Medzinárodné

SAFEMOST – Vysokobezpečný GaN MOS spínací tranzistor
Highly Safe GaN Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Switch
Program: International Visegrad Found (IVF)
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján DrSc.
Web stránka projektu: http://www.safemost.sav.sk/
Doba trvania: 1.10.2015 – 30.3.2019
Príprava a charakterizácia pokročilých GaN nano-hetero-štruktur
Advanced GaN nano-hetero-structures – preparation and characterization
Program: Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Novák Jozef DrSc.
Doba trvania: 1.1.2017 – 31.12.2017

Národné

Fotonické nanoštruktúry pripravené laserovou 3D litografiou pre biosenzory
Photonic nanostructures prepared by 3D laser lithography for biosensing
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Novák Jozef DrSc.
Doba trvania: 1.7.2017 – 31.12.2020
Moderné nanoštruktúry pripravené sofistikovanou MOVPE technológiou
Advanced nanostructures prepared by sophisticated MOVPE technology
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: doc. Ing. Novák Jozef DrSc.
Anotácia: Projekt sa zaoberá výskumom moderných polovodičových nanoštruktúr pripravených technológiou MOVPE.Cieľom projektu je zdokonaliť technológiu prípravy nanoštruktúr v porovnaní s doteraz dosiahnutým stavom tak(technikou VLS), aby sme mohli pripraviť štruktúry s presne definovanými vlastnosťami určené na špičkovéaplikácie. Využijeme možnosti nového laboratória MOVPE, v ktorom bola spustená nová MOVPE aparatúra namateriálový systém na báze GaN a teda (i)môžeme pripravovať nanoštruktúry pripravené v systéme III-V a III-Na zvoliť materialový systém vhodnejší pre danú aplikáciu, (ii) sústredíme sa na získanie nových poznatkov ozmene rastových podmienok MOVPE s cieľom zmapovať rastový transfer od nanodrôtov k nanokužeľom, (iii)získame nové poznatky o depozícii kovových nanozŕn na povrch nanodrôtov a nanokúžeľov s cieľom zdokonalťich vlastnosti pre SERS experimenty.
Doba trvania: 1.1.2017 – 31.12.2020
SENAD – Polovodičové nanomembrány pre hybridné súčiastky
Semiconductor nanomembranes for hybrid devices
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kúdela Róbert CSc.
Anotácia: Projekt sa zaoberá prípravou a skúmaním fyzikálnych vlastností nanomembrán na báze GaAs a GaN, ako aj ich využitím v nových hybridných súčiastkach, ktoré nemôžu byť efektívne pripravované súčasnou monolitickou technológiou. Nanomembrány môžeme popísať ako monokryštalické štruktúry s hrúbkou do stoviek nanometrov a pozdĺžnymi rozmermi aspoň o dva rády väčšími, a ktoré boli separované od pôvodného substrátu a sú voľne stojace, alebo uchytené na náhradnom substráte. Na niektoré vybrané nanomembrány budú nanesené tenké organické filmy, ktoré môžu modifikovať ich vlastnosti.
Doba trvania: 1.7.2016 – 31.12.2019
Tranzistory s InN-kanálom pre THz mikrovlny a logiku
Transistors with InN channel for THz microwaves and logic
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Kuzmík Ján DrSc.
Doba trvania: 1.7.2016 – 30.6.2019