Projektová činnosť

Medzinárodné

ATOPLOT – 3D ploter na báze nanášania po atómových vrstvách
The atomic-layer 3D plotter
Program: Horizont 2020
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu: https://cordis.europa.eu/project/id/950785
Doba trvania: 1.5.2020 – 30.4.2022
TRANSCOE – Vývoj nových vodivých priehladných elektród pre organickú elektroniku
Development of new designed transparent conductive electrodes for organic electronics
Program: Bilaterálne – iné
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.2.2017 – 31.1.2020
HERALD – Zachytenie spoločného európskeho výskumu v nanášaní po atomárnych vrstvách
Hooking together European research in atomic layer deposition
Program: COST
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu: http://www.cost.eu/COST_Actions/mpns/Actions/MP1402
Doba trvania: 4.12.2014 – 4.12.2018
MORGaN – Materiály pre robustný nitrid gália
Materials for Robust Gallium Nitride
Program: 7RP
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.11.2008 – 31.10.2011
Výskum dielektrických vlastností a prenikanie prúdov vRu/high-k (Ta2O5,(Hf,Ti)-dotované Ta2O5) kondenzátormi pre pokročilé sub-90 nm technológie uzlové aplikácie
Investigation of dielectric properties and leakage currents in Ru/high-(Ta205,(hf,Ti)-doped Ta205)capacitors for advanced sub-90nm technology and applications
Program: Medziústavná dohoda
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.1.2006 – 31.1.2009
ULTRAGAN – Technológia InAlN(In)GaN heteroštruktúr pre mikrovlnný tranzistor s ultra vysokým výkonom
InAlN/(In)GaN heterostructure technology for ultra-high power microwave transistor
Program: 6RP
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Príprava vysoko frekvenčných – vysoko výkonných HEMT tranzistorov na báze heteroštruktúry InAlN/GaN. ElÚ SAV bol zodpovedný za prípravu a charakterizáciu HEMT tranzistorov s MOS štruktúrou na riadiacom hradle.
Web stránka projektu: http://www.ultragan.eu/
Doba trvania: 17.10.2005 – 16.10.2008
THIOX – Tenké vrstvy pre nové súčiastky na báze oxidov
Thin films for novel oxide devices
Program: European Science Foundation (ESF)
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Príprava tenkovrstvových štruktúr pre elektronické súčiastky na báze oxidov
Web stránka projektu: www.esf.org/esf_article.php?language=0&article=322&domain=1&activity=1
Doba trvania: 1.6.2003 – 30.6.2008
Tenké oxidové vrstvy pre využitie v nanoelektronike
Thin oxide films for nanoelectric applications
Program: Medziakademická dohoda (MAD)
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.1.2006 – 31.12.2007
INVEST – –
Integration of very high-k dielectrics with silicon CMOS technology
Program: 5RP
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Príprava tenkých dielektrických vrstiev s vysokou permitivitou pre využitie v kremíkovej CMOS technológii. ElÚ SAV bol zodpovedný za prípravu a charakterizácia MOS štruktúr obsahujúcich hradlové elektródy s vysokou výstupnou prácou na báze vodivých oxidov Ru a kovového Ru.
Doba trvania: 1.1.2001 – 31.12.2005
Príprava tenkých vrstiev nanášaním z chemických roztokov
Preparation of barriers, electrodes and oxide films for microelectronics
Program: COST
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Príprava tenkých vrstiev oxidov nanášaním z chemických roztokov a skúmanie ich vlastnosti
Doba trvania: 1.3.2001 – 1.9.2005
MULTIMETOX – –
Metal oxide multilayers obtained by cost-effective new CVD technologies for magnetoelectronic microsystems and nanotechnologies
Program: 5RP
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Koordinované aktivity koncentrovať na prípravu a výskum vysokokvalitných epitaxných vrstiev získaných inovačnými technikami (CVD). Získať nové magnetoelektronické zariadenia z tenkých heteroštruktúr. Organizovať semináre s dôrazom na výchovu mladých vedeckých pracovníkov.
Doba trvania: 1.3.2000 – 28.2.2003

Národné

Moderné elektronické súčiastky na báze ultraširokopásmového polovodiča Ga2O3 pre budúce vysokonapäťové aplikácie
Modern electronic devices based on ultrawide bandgap semiconducting Ga2O3 for future high-voltage applications
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Gucmann Filip, PhD.
Anotácia: Polovodičové súčiastky založené na širokopásmových polovodičoch predstavujú jednu z kľúčových technológií vo vývoji vysoko výkonových a vysoko frekvenčných systémov pre konverziu elektrickej energie a elekomunikácie vďaka vyšším dosahovaným prierazným elektrickým poliam, v niektorých prípadoch aj vyššej pohyblivosti elektrónov a možnosti tvoriť heteroštruktúry a 2D elektrónový plyn. GaN a SiC ako dva typické príklady profitujú aj z dostatočnej tepelnej vodivosti, čo ich súčiastkám umožňuje účinnejší odvod stratového tepla a zvýšenú spoľahlivosť. Významne etablujúcou sa skupinou materiálov sú tzv. ultraširokopásmové polovodiče (Eg>3.4eV, t.j. viac ako GaN a SiC), pretože umožňujú dosahovať značné vylepšenia parametrov elektronických súčiastok pre narábanie s vysokými napätiami a výkonmi. Veľmi sľubným a v súčasnosti podrobne študovaným polovodičom je oxid gália (Ga2O3) – očakávaný základný materiál pre usmerňujúce diódy so Schottkyho kontaktom a elektrickým poľom riadené tranzistory pre úroveň napätí v kV rozsahu. Vďačí za to pomerne jednoduchej syntéze, škálovateľnosti, dostupnosti prirodzených substrátov a širokému rozsahu dotácie n-typu. Hlavným cieľom predkladaného projektu je pokročilý materiálový výskum a vývoj technológie epitaxného rastu vrstiev α, β a ε fáz Ga2O3 a technologickej prípravy elektronických súčiastok z nich pre budúce vy soko napäťové (výkonové) aplikácie. Ga2O3 epitaxné vrstvy budú rastené chemickou depozíciou z pár organokovov ich vstrekovaných v tekutej fáze na zafírových, a pre vyššiu tepelnú vodivosť, aj SiC podložkách. Zameriame sa aj na prípravu unipolárnych Schottkyho diód, poľom riadených tranzistorov, ako aj PN diód kombinujúcich n-typ Ga2O3 a ďalší, prirodzene p-typ oxid (napr. NiO, In2O3, CuO2). Vykonáme hĺbkovú štruktúrnu, elektrickú, optickú a tepelnú charakterizáciu pripravených vrstiev a súčiastok, ktorej výsledkom bude množstvo originálnych výsledkov.
Doba trvania: 1.7.2021 – 30.6.2025
Elektronické a optoelektronické súčiastky na báze ultra-širokopásmového Ga2O3 polovodiča
Electronic and optoelectronic devices based on ultra-wide bandgap Ga2O3 semiconductor
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Ťapajna Milan, PhD.
Anotácia: V ostatnom období sa intenzívne skúmajú možnosti využitia ultra-širokopásmových polovodičov pre prípravuvýkonových elektronických súčiastok pracujúcich v oblasti jednotiek až desiatok kV a taktiež UVC fotodetektorov.Projekt je zameraný na výskum rastu epitaxných vrstiev a elektronických ako aj optoelektronických súčiastok nabáze Ga2O3. Na základe predbežných výsledkov sa zameriame na výskum rastu romboedrickej fázy Ga2O3 snajvyššou šírkou energetickej medzery. Epitaxné vrstvy budú pripravované pomocou chemickej depozície z párorganokovových zlúčenín vstrekovaním prekurzorov v kvapalnej fáze. Vrstvy budú využívané na prípravu avýskum elektronických súčiastok so zameraním na Schottkyho diódy a spínacie MOSFET tranzistory. Budemeskúmať transportné a tepelné vlastnosti vyvinutých súčiastok, parazitné efekty a mechanizmy prierazov ako ajelektro-optické vlastnosti p-n heteropriechodov pre UV fotodetektory. Zameriame sa aj na výskum možnostízlepšenia tepelného manažmentu pripravených tranzistorov.
Doba trvania: 1.1.2021 – 31.12.2024
Tenkovrstvové štruktúry pre využitie v energetike
Thin film structures for energy applications
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Projekt je zameraný na výskum prípravy tenkovrstvových štruktúr pre využitie v energetike. V časti projektu sabudeme venovať príprave a výskumu vlastností transparentných vodivých elektród pre organické slnečné článkya organické svietiace diódy na báze tenkých vrstiev oxidov ako aj enkapsulácii týchto súčiastok. Ďalej sazameriame na prípravu a výskumu vlastností štruktúr kov-izolátor-polovodič vhodných ako fotoanódy pre rozkladvody vplyvom slnečného žiarenia. Ďalšia časť projektu bude venovaná výskumu prípravy tenkovrstvovýchelektród pre uskladnenie energie v batériách a príprave štruktúr pre superkapacitory. Tenké vrstvy v týchtosúčiastkach budú pripravené technológiou nanášania po atomárnych vrstvách a chemickým nanášaním z párorganokovových zlúčenín s využitím kvapalného zdroja. Pripravené štruktúry budú základom pre nové modernésúčiastky a zariadenia s využitím v energetike.
Doba trvania: 1.1.2018 – 31.12.2021
Fotoluminescenčné keramické materiály na báze oxynitridov kremíka
Silicon oxynitride-based photoluminiscent ceramic materials
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.7.2015 – 30.6.2019
Štruktúry odporového prepínania pre rozpoznávanie vzorov
Resistive switching structures for pattern recognition
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.7.2015 – 30.6.2018
Príprava tenkých vrstiev technológiou nanášania po atómových vrstvách
Growth of thin films using Atomic Layer Deposition
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.1.2014 – 31.12.2017
Kompetenčné centrum pre nové materiály, pokročilé technológie a energetiku
Center of competence for new materials, advanced technologies and energetics
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.8.2011 – 30.11.2015
ReSwitch – Štruktúry kov-oxid-kov pre nanorozmerné pamäťové bunky na báze odporového prepínania
Metal-oxide-metal structures for resistive switching based memory cells
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.5.2011 – 30.4.2014
Tenké vrstvy oxidov a ich uplatnenie v pokročilých elektronických súčiastkach
Thin oxide films and their application in advanced electronic devices
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.1.2011 – 31.12.2013
ENERGOZ – Efektívne riadenie výroby a spotreby energie z obnoviteľných zdrojov
Effective control of production and consumption of energy from renewable sources
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu: http://tisav.choma.sk/index.php?projekt=energoz&card=energoz
Doba trvania: 1.4.2010 – 1.3.2013
CENTE II – Budovanie Centra Excelentnosti pre Nové Technológie v Elektrotechnike – II. etapa
Center of Excellence for New Technologies in Electrical Engineering II.
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.3.2010 – 28.2.2013
Vývoj univerzálnej HD video platformy pre aplikáciu v broadcastingu, vzdelávaní a výskume
Development of HD video universal platform for application in broadcasting, education and research (HD Video)
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu: http://www.monogram.sk/projekty0.html
Doba trvania: 1.2.2010 – 31.1.2013
CEKOODUV – Centrum komercializácie poznatkov a ochrany duševného vlastníctva Slovenskej akadémie vied
Centre of knowledge commercialization and intellectual property rights management of the Slovak Academy of Sciences
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Web stránka projektu: http://tisav.choma.sk/index.php?projekt=ceko
Doba trvania: 1.10.2009 – 31.3.2012
Štruktúry kov-izolant-kov pre nanorozmerné pamäte typu DRAM
Structure metal-insulator-metal for nanoscale DRAM memories
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.9.2008 – 30.6.2011
CENTE – Centrum excelentnosti pre nové technológie v elektrotechnike
Center of Excellence for New Technologies in Electrical Engineering
Program: Štrukturálne fondy EÚ Výskum a vývoj
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Centrum bolo vytvorené vďaka podpore Európskeho fondu regionálneho rozvoja, ktorý pomáha rozvíjať zamestnanosť podporovaním zamestnateľnosti, obchodného ducha, rovnakých príležitostí a investovaním do ľudských zdrojov. Prostredníctvom projektu Centra excelentnosti budú vybudované ďalšie nové technologické laboratóriá, ktoré organickým spôsobom doplnia už existujúcu infraštruktúru a zároveň ju posunú na kvalitatívne vyššiu úroveň. Impulzom pre projekt Centra bola intenzívna spolupráca jednotlivých vedeckých pracovníkov i celých kolektívov z pracovísk partnerov a žiadateľa na spoločných projektoch tematicky zameraných na nové elektronické súčiastky a efekty v nich. Ďalšou motiváciou je spoločná výchova študentov a doktorandov v oblasti nových technológií, tak aby prinášali firmám v regióne informácie o nových progresívnych technológiách v oblasti elektrotechniky.
Web stránka projektu: http://www.elu.sav.sk/cente/intro_sk.html
Doba trvania: 15.5.2009 – 14.5.2011
Mikroštruktúra veľmi tenkých vrstiev pre modernú mikroelektroniku
Microstructure of very thin films for advanced microelectronics
Program: VEGA
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.1.2008 – 31.12.2010
MORGAN – Materiály pre robustný gálium nitrid
Materials for Robust Gallium Nitride
Program: Podpora MVTS z prostriedkov SAV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 16.7.2009 – 31.12.2009
Tenké oxidové vrstvy pre GaN heteroštruktúry
Thin oxide films for GaN heterostructures
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.3.2007 – 30.11.2008
MatNet – Vybudovanie výskumno-vývojovej a inovačnej siete pre oblasť materiálov a technológií ich spájania
Creation of network for innovations, research & development in the field of advanced materials and technologies of their joining
Program: Európsky sociálny fond /ESF/ (MŠ SR, MPSVR SR)
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Projekt je zameraný na vytvorenie výskumno-vývojovej a inovačnej siete (virtuálneho inštitútu) výskumno-vývojových pracovísk zo Slovenskej akadémie vied, vysokých škôl a výskumno-vývojových organizácií priemyselného sektora v Bratislavskom samosprávnom kraji (BSK) zaoberajúcich sa výskumom a vývojom progresívnych technických materiálov a technológií ich spájania. V rámci siete budú vytvorené podmienky na úzku spoluprácu akademického a priemyselného výskumu a vývoja, na realizáciu informačných aktivít podporujúcich zvýšenie záujmu podnikateľskej sféry o výsledky výskumu a vývoja a na podporu prenosu nových progresívnych technológií do výrobnej praxe. Súčasťou projektu bude zapojenie vytvoreného virtuálneho inštitútu do existujúcich sietí medzinárodnej vedecko-výskumnej spolupráce (MVTS) v oblasti vývoja materiálov a technológií a príprava nových výskumno-vývojových projektov na základe požiadaviek priemyselnej sféry v rámci domácich, ako aj medzinárodných programov výskumu a vývoja.
Web stránka projektu: http://www.matnet.sav.sk/
Doba trvania: 1.4.2006 – 30.9.2008
Tenké vrstvy oxidov pre pokročilé MOS štruktúry
–
Program: APVV
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Anotácia: Cieľom projektu je príprava štruktúr kov-izolant-polovodič (metal-oxide-semiconductor, MOS) na báze izolačných vrstiev s vysokou dielektrickou konštantou (> 30). Štruktúry budú využité pre CMOS technológiu s typickým rozmerom pod 45 nm.
Doba trvania: 1.2.2005 – 31.12.2007
THIOX – Tenké vrstvy pre nové súčiastky na báze oxidov
Thin oxide films for novel oxide devices
Program: Iné projekty
Zodpovedný riešiteľ: Ing. Fröhlich Karol, DrSc.
Doba trvania: 1.1.2003 – 31.12.2007