Témy PhD prác

Pre r. 2017/2018 vypisuje Elektrotechnický ústav nasledovné témy pre študijné programy: 5.2.48 "Fyzikálne inžinierstvo", 5.2.13 "Elektronika a fotonika" a 4.1.3 "Fyzika kondenzovaných látok a akustika"

5.2.48 "Fyzikálne inžinierstvo"

  • Téma: Tepelná stabilita kompozitných MgB2 supravodičov pri vysokých prúdových hustotách

    Školiteľ: Ing. P. Kováč, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Uplatnenie MgB2 supravodičov je najaktuálnejšie pre oblasť stredných a nízkych magnetických polí (1-5 T) a teplote okolo 20 K (magnety pre MRI, generátory, motory), kde sú vysoké transportné prúdy a preto je zvlášť aktuálna aj požiadavka dobrej tepelnej stability. Bude sa experimentálne študovať a tiež modelovať tepelná stabilita vzoriek kompozitných supravodičov pri nízkych teplotách (4.2-20K) s dobre vodivým stabilizačným prvkom (Cu, Al). Pomocou merania V-A charakteristík v oblasti nad kritickou prúdovou hustotou a tiež pomocou pulzných prúdov budeme určovať generované teplo a kritický ohrev MgB2 drôtov a káblov s rôznou stabilizáciou. Získané výsledky umožnia optimalizovať konštrukciu MgB2 supravodiča tak, aby bol dostatočne stabilný pri pracovných podmienkach.
  • Téma: Technológia pokročilých homogénnych supravodičov s keramickými vláknami

    Školiteľ: Ing. P. Kováč, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Vysokoteplotné supravodivé materiály objavené v posledných desaťročiach sú prevažne keramického charakteru (BSCCO, borid horčíka a pniktidy železa). Praktické použitie týchto supravodičov vyžaduje ich zakomponovanie do kompozitné drôtov s niekoľkými kovovými obalmi, čo kladie zvláštne nároky na tvárnenie komponentov s veľmi rozdielnymi mechanickými vlastnosťami a tiež na tepelné spracovanie alebo použitie bariéry, aby sa predišlo vzájomnej reakcii vlákien a obalov. V rámci tejto témy sa budú pripravovať kompozitné drôty so supravodivými vláknami s vysokou pozdĺžnou homogenitou (predovšetkým s Mg jadrom a bórovým práškom). Homogenita keramických vlákien bude testovaná na priečnych a pozdĺžnych rezov ako aj pomocou röntgenovej tomografie a chemickej reakcie na rozhraniach pomocou SEM a EDX analýz. Merania volt-ampérových charakteristík budú použité jak na určenie kritických prúdov tak aj na množstvo generovaného tepla (ohrevu) kompozitných drôtov pri vysokých jednosmerných prúdoch. Získané výsledky umožnia optimalizovať konštrukciu kompozitného supravodiča tak, aby mal nielen vysoké prúdové hustoty ale bol tiež dostatočne stabilný pri pracovných podmienkach.

  • Téma: Kompozitné materiály s nastaviteľnými fyzikálnymi vlastnosťami

    Školiteľ: doc. Ing. Fedor Gömöry, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Obsahom práce bude vývoj metód prípravy kompozitov, obsahujúcich práškový materiál vo vhodnom spojive. Využitia predpokladáme v dvoch aplikáciách: feromagnetická časť plášťa magnetickej neviditeľnosti, a vrstva s vhodnými tepelnými vlastnosťami na pokrytie pások pre supravodivý obmedzovač prúdu. Hľadania postupov prípravy kompozitov s dobrou reprodukovateľnosťou bude kombinované s výskumom súvislosti medzi štruktúrnymi parametrami východzích práškov (distribúcia veľkostí a tvarov) a fyzikálnymi vlastnosťami kompozitov. Cieľom je stanoviť postupy pri ktorých dodržaní bude mať pripravený materiál požadované kľúčové vlastnosti. V prvej spomínanej aplikácii je to magnetická susceptibilita, v druhej tepelná vodivosť a merné teplo.
     

  • Téma: Vplyv mechanických deformácií na elektrické vlastnosti pások na báze vysokoteplotných supravodičov

    Školiteľ: doc. Ing. Fedor Gömöry, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Obsahom práce bude skúmanie vplyvu deformácií, ktoré pásky z vysokoteplotných supravodičov podstupujú v procese káblovania, na ich elektrické charakteristiky, predovšetkým kritický prúd. V experimentálnej časti bude potrebné zostaviť aparatúru na in-situ meranie kritického prúdu, teda pri teplote varu kvapalného dusíka, počas mechanickej deformácie. Výsledky meraní budú konfrontované s teoretickými predpoveďami, získanými numerickým výpočtom. Cieľom výskumu bude stanoviť odporúčania pre architektúru kábla a parametre káblovacieho procesu, pri ktorých by nemalo dochádzať k nadmernej degradácii vlastností.
  • Téma: Electro-thermal computer modelling of superconducting large-scale applications

    Školiteľ: Mgr. E. Pardo, PhD. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Superconductors may reduce the green-house effect emissions by applying them to renewable energies, such as wind turbine generators, and highly efficient electric power applications, such as motors for air-planes and transformers. Superconducting magnets are able to generate stable high magnetic fields in large volumes, required for Magnetic Resonance Imaging and particle accelerators like the Large Hadron Collider in CERN. All of these applications contain superconductors interacting with magnetic materials and are of high complexity. Therefore, novel computer modelling tools with superconductors interacting with magnetic materials are are required. This PhD is intended to develop a computer program in order to model the electro-magnetic behaviour in superconductors, based on the minimum entropy production principle. The program will be developed in C++ and use parallel computing concepts to apply it to computer clusters or GPUs, which might evolve into super-computer computations. However, no previous programming experience or knowledge of superconductivity is required to enrol into PhD but a motivation to learn. The work will be done in close collaboration with the supervisor, ensuring the success of the PhD dissertation. The student will also benefit from international collaborations and attendance to conferences abroad. This PhD represents a balance of fundamental and applied research that may open a professional future both in academy and industry with an international projection.
    Requirements: Be in possession of a degree in physics, engineering, mathematics, informatics or similar at the beginning of the PhD and citizenship of a country in EU. Knowledge of a multi-purpose programming language (such as C++, python or Fortran) is welcome, although not necessary at the beginning.
    Benefits: In addition to the standard benefits for a PhD candidate (stipendium and important discount on accommodation), the candidate may attend to international conferences in Europe, United States or Asia. There are also several possibilities to make short research stays abroad, thanks to the international contacts of the supervisor.

  • Téma: Supravodivé vlastnosti a mikroštruktúra tenkých vrstiev pre supravodivé rádiofrekvenčné rezonančné dutiny

    Školiteľ: Mgr. E. Seiler, PhD. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Supravodivé rádiofrekvenčné rezonančné dutiny (RF cavities) používané na urýchľovanie a formovanie zväzkov elementárnych častíc v urýchľovačoch vyžadujú pokrytie vnútorných stien vysoko kvalitnou a štruktúrne dokonalou supravodivou vrstvou, najčastejšie používanou je tenká nióbová (Nb) vrstva. V rámci navrhovanej témy dizertačnej práce bude hlavnou náplňou komplexná charakterizácia supravodivých vrstiev pre RF rezonančné dutiny pripravených v popredných európskych laboratóriách s použitím rôznych depozičných metód a postupov, na rôzne spracovaných Cu podložkách. Pôjde tak o „klasické“ Nb vrstvy ako aj o vrstvy a multi-vrstvy ďalších alternatívnych materiálov ako NbN, Nb3Sn a MgB2. Pomocou elektrických a magnetických meracích metód, ako transportné merania elektrického odporu, merania magnetického momentu vo vibračnom magnetometri (VSM), merania striedavej magnetickej susceptibility a pod., budú skúmané supravodivé vlastnosti a  parametre vrstiev. Charakterizácia elektromagnetických vlastností bude spojená s analýzou mikroštruktúry vrstiev pomocou transmisnej a skenovacej elektrónovej mikroskopie (TEM, SEM) a ďalších vhodných analytických techník. Výsledky budú využité pri výbere najvhodnejších materiálov a metód prípravy supravodivých vrstiev pre RF rezonančné dutiny v budúcich urýchľovačoch.
  • Téma: Pokročilé supravodivé vodiče pre obmedzovače skratových prúdov

    Školiteľ: Ing. M. Vojenčiak, PhD. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Supravodivé obmedzovače skratových prúdov umožňujú zhusťovanie energetickej siete  bez zvýšenia úrovne skratových prúdov. Ich funkcia je založená na prudkom zvýšení odporu supravodiča pri prekročení kritického prúdu. Počas obmedzovania skratového prúdu však dochádza k zvyšovaniu teploty vodiča, čo môže pri prekročení bezpečnej hranice viesť k poškodeniu supravodivého materiálu.
    Hlavnou náplňou navrhovanej dizertačnej práce bude podrobné štúdium tepelných a elektrických procesov prebiehajúcich v supravodivom obmedzovači skratových prúdov. Tie zahŕňajú disipáciu (AC straty) počas normálnej prevádzky ako aj zmeny elektrického odporu, teploty a prestupu tepla počas obmedzovania prúdu a počas fázy znovuochladenia.
    Cieľom práce je identifikovanie vlastností supravodivého vodiča ovplyvňujúcich funkciu obmedzovača skratových prúdov, návrh úpravy architektúry vodiča alebo usporiadania celého zariadenia a experimentálne overenie predpokladov použitých v návrhu. Predpokladá sa vytvorenie malého demonštračného modelu s použitím vodiča dĺžky 10 cm až 1 m. Prednostne bude rozvíjaný koncept úpravy supravodivého vodiča zvýšením tepelnej kapacity.
  • Téma: Kryštálová optika pre vysokorozlišovacie rtg zobrazovacie aplikácie

    Školiteľ: Mgr. Bohumír Zaťko, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky )
    Školiteľ špecialista: Ing. Zdenko Zápražný, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky - Piešťany )
    Popis: Vysokorozlišovacie rtg zobrazovacie aplikácie v reálnom ako aj v reciprokom priestore si vyžadujú vysokokvalitnú rtg optiku, ktorá efektívne zvyšuje rozlíšenie (priestorové alebo spektrálne) a zároveň prepúšťa dostatočnú intenzitu rtg zväzku. Práca bude zameraná najmä na rtg optiku, ktorá bude schopná bez obrazovej deformácie expandovať alebo fokusovať rtg lúč v jednom až troch rozmeroch. Veľmi dôležitá je najmä kvalita povrchu funkčných plôch, na ktoré rtg lúč dopadá pod veľmi nízkym uhlom. Z toho dôvodu musí byť tvar monochromátora navrhnutý tak, aby boli funkčné plochy dostupné pre moderné dokončovacie operácie, ktoré používame ako je nanoobrábanie a finálne dolešťovanie. Pred samotnou výrobou rtg optického prvku budú potrebné simulácie, návrh tvaru a výber najvhodnejšej varianty pre vybranú aplikáciu. Pre charakterizáciu a vyhodnocovanie kvality aktívnych povrchov optiky (drsnosť, planarita, podpovrchové poškodenie) sa bude používať najmä vysokorozlišovací difraktometer a AFM mikroskop. Testovanie zobrazovacej alebo fokusačnej schopnosti sa bude robiť prevažne na vysokointenzívnych laboratórnych zdrojoch, aj v kombinácii s inými optickými prvkami a priamokonvertujúcimi detektormi na báze Medipix kamery s kremíkovým alebo GaAs čipom, ktoré sa na našom oddelení taktiež vyvíjajú a testujú.
    Práca bude vykonaná na detašovanom pracovisku ElÚ SAV v Piešťanoch.
     


5.2.13 "Elektronika a fotonika"

  • Téma: Vývoj a charakterizácia štruktúr MOS pre vertikálnych spínacích tranzistorov na báze GaN

    Školiteľ: Ing. Milan Ťapajna, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Napriek nedokonalej technológii, laterálne tranzistory na báze GaN už dnes prevyšujú parametre moderných Si súčiastok, vďaka čomu prevodníky s GaN prvkami dosahujú efektivitu prevodu až na úroveni 99%. Pri zvyšovaní výkonu prevodníkov však laterálne GaN tranzistory narážajú na obmedzenia v oblasti dosahovaných prierazných napätí (~ 1 kV), tepelných efektov a s nimi spojenej degradácie, frekvenčnej disperzie a púzdrenia. Pre plné využitie potenciálu excelentných vlastností GaN materiálu je preto žiadúci vývoj vertikálnych konceptov GaN spínacích tranzistorov s hradlovou štruktúrov kov-oxid-polovodič (MOS). Cieľom dizertačnej práce bude vývoj technológie a detailná charakterizácia elektro-fyzikálnych vlastností MOS hradiel s 3D architektúrou pre vertikálny GaN MOSFET. Pre tento účel bude potrebné získanie nových poznatkov o tvorbe a rozložení nábojov v MOS štruktúre a možností ich technologickej kontroly pre nastavenie prahového napätia tranzistotra a optimalizácia kvality rozhrania oxid/polovodič za účelom potlačenia nežidúcich nestabilít súčiastky. V projekte sa budeme opierať o originálny koncept inverzného typu GaN MOSFET-u, moderné technologické postupy dostupné na Elektrotechnickom ústave SAV a kombináciu detailnej elektrickej a štruktúrnej charakterizácie a simulácií. Práca bude realizovaná na ElÚ SAV v  spolupráci s FEI STU a zahraničnými partnermi (Hokkaido University, Japonsko).
  • Téma: Štúdium prípravy elektronických a senzorických štruktúr pre použitie v extrémnych podmienkach

    Školiteľ: Ing. Gabriel Vanko, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky )
    Popis: Navrhnutá tematika je motivovaná aktuálnou potrebou implementácie nových materiálov pre návrh a výrobu Mikro(Nano)ElektroMechanických Systémov - M(N)EMS schopných pracovať v extrémnych podmienkach vysokých teplôt a chemicky agresívneho prostredia. Dizertačná práca bude preto orientovaná na návrh, prípravu a charakterizáciu senzorických a elektronických súčiastok na báze III-nitridových polovodičových zlúčenín. Jedná sa predovšetkým o heteroštruktúry AlGaN/GaN v hybridnej integrácii s diamantovými vrstvami vo funkcii: a)nanoštruktúrovaných a poréznych chemicky absorpčných vrstiev (pre chemické senzory plynov); b)mechanicky podporných membránových štruktúr (pre senzory tlaku, sily a zrýchlenia); c)biokompatibilných vrstiev (pre biosenzory) ako aj d)tepelne vodivých povrchových pasivačných vrstiev (pre elektronické prvky s 2D elektrónovým plynom). 
  • Téma: Pixelové detektory na báze GaAs pre rtg zobrazovanie

    Školiteľ: Mgr. Bohumír Zaťko, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky )
    Popis: Práca sa zaoberá technológiou prípravy detektorov ionizujúceho žiarenia, štúdiom ich elektrických a detekčných vlastností a interpretáciu získaných výsledkov. Detekčným materiálom sú semiizolačný GaAs. V prvej fáze sa práca sústredí na návrh a prípravu pixelových detekčných štruktúr. Následne sa vykoná elektrická charakterizácia. Vybrané vhodné pixelové štruktúry sa pripoja k spektrometrickej aparatúre. Po vyhodnotení meraných výsledkov sa pripravia pixelové polia pre vyčítavací čip Timepix3. Spojením pixelových detektorov s vyčitavacím čipom vznikne pixelový detekčný systém a budú sa vyhodnocovať jeho spektrometrické a zobrazovacie schopnosti. 


4.1.3 "Fyzika kondenzovaných látok a akustika" 

  • Téma: Tranzistory na báze III-V polovodičov pracujúce v obohacovacom režime

    Školiteľ: RNDr. Dagmar Gregušová, DrSc. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Tranzistor s vysokou pohyblivosťou elektrónov na heteroštruktúrach na báze III-As a III-N (HFET) je intenzívne študovaný kvôli jeho výnimočným vlastnostiam  pre rôzne aplikácie vo výkonových súčiastkach budúcej generácie. Tiež má vysoký potenciál použitia i v špeciálnych vysokofrekvenčných aplikáciách. Cieľom práce bude hľadanie a použitie adekvátnych technologických operácií ako sú elektrochemická oxidácia, oxidácia  v kyslíkovej plazme a ďalšie nové prístupy  prípravy tranzistorov pre obohacovací režim ich činnosti. Adekvátnosť a efektivita technologických prístupov bude konfrontovaná meraním a analýzou charakteristík pripravených súčiastok. 
  • Téma: Technológia a vlastnosti vertikálnych spínacích tranzistorov na báze GaN

    Školiteľ: Ing. Ján Kuzmík, DrSc. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Predpokladané masívne nasadenie spínacích tranzistorov na báze GaN v elektrických prevodníkoch slubuje nevýdané celosvetové úspory energie. Tento predpoklad je dôsledok materiálových parametrov III-N polovodičov, vďaka čomu GaN tranzistory vykazujú neobvykle vysokú účinnosť spínania, robustnosť a tepelnú odolnosť. Na druhej strane, súčasný stav technológie GaN spínacích tranzistorov je takmer výlučne založený na planárnom koncepte, kedy kontakty sú umiestnené len na jednej strane substrátu. Takáto technológia môže zjednodušiť prípravu tranzistorov, na druhej strane drift elektrónov prebieha v tesnej blízkosti povrchu. V dôsledku tohto môže dochádzať k parazitnej interakcií elektrónov z kanála s nábojmi na povrchu, k elektrickému prierazu po povrchu a v neposlednom rade súčiastka môže trpieť v dôsledku nedostatočného odvodu tepla. Výsledkom toho je, že planárne tranzistory často nedosahujú teoretické spínacie rýchlosti, prierazné hodnoty elektrického pola sú nízke a taktiež dochádza k predčasnému tepelnému prierazu ešte pred tým, ako nastane lavínový prieraz. Uvedené skutočnosti vedú k tomu, že napriek skvelým materiálovým parametrom GaN-u, aplikácie v napäťovej oblasti nad 1 kV sú ešte stále dominanciou SiC. Predmetom dizertačnej práce bude návrch, technologická príprava a analýza vertikálnych spínacích tranzistorov na báze GaN. Klúčovou oblasťou bude zvládnutie 3-rozmerného tvarovania súčiastky, príprava neplanárnych kontaktov a taktiež elektrická a tepelná charakterizácia pripravených vertikálnych štruktúr. Práca bude prebiehať v  spolupráci so zahraničnými partnermi.
  • Téma: Computer modeling of superconducting motors for aviation

    Školiteľ: Mgr. E. Pardo, PhD. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Hard type II superconductors present virtually no resistance below a certain temperature, current density and magnetic field. However, time-varying magnetic fields generate local heat in the superconductor, which may overcome the critical temperature and become normal, thus  generating even more heat. Thus, the interplay between the electromagnetic and thermal systems create thermal avalanches of fractal dentritic structures. This topic is not only of fundamental importance but also highly relevant for superconducting power and magnet applications. Electro-thermal effects create thermal quench, which may cause dramatical damage in large-scale magnets like the Large Hadron Collider in CERN. Electro-thermal studies are also a must for the design of wind-turbine generators, electrical motors for air-planes or fault-current limiters. The PhD is intended to develop a computer program in order to model the electro-thermal behaviour in superconductors, based on the minimum entropy production principle. The program will use parallel computing concepts to apply it to computer clusters or GPUs, which might evolve into super-computer computations. However, no previous programming experience or knowledge of superconductivity is required to enrol into PhD but a motivation to learn. The work will be done in close collaboration with the supervisor, ensuring the success of the PhD dissertation. The student will also benefit from international collaborations and attendance to conferences abroad. This PhD represents a balance of fundamental and applied physics research that may open a professional future both in academy and industry with an international projection.
    Requirements: Be in possession of a degree in physics (any specialization), engineering, mathematics or similar at the beginning of the PhD. Knowledge of a multi-purpose programming language (such as C++, Python or Fortran) is welcome, although not necessary at the beginning.
    Benefits: In addition to the standard benefits for a PhD candidate (stipendium and important discount on accommodation), the candidate may attend to international conferences in Europe, United States or Asia. There are also several possibilities to make short research stays abroad, thanks to the international contacts of the supervisor.
  • Téma: Rast a vlastnosti homoepitaxných vertikálnych GaN štruktúr

    Školiteľ: Ing. Milan Ťapajna, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Školiteľ špecialista: Ing. Stanislav Hasenöhrl ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Predmetom práce bude rast a vyšetrovanie GaN epitaxných vrstiev narastených priamo na GaN substráte. Zvládnutie tejto technológie je nevyhnutné pre prípravu novej generácie GaN výkonových spínacích súčiastok. Vrstvy budú pripravené technikou MOCVD, predmetom vyšetrovania bude spôsob prípravy nukleačnej vrstvy na GaN substráte a jej vplyv na vlastnosti následných epitaxných vrstiev. Študovať budeme rôzne úrovne kompenzačných dotácií, dotáciu typu n, typu p, ako aj vertikálne pn prechody pripravené touto technikou. Štrukturálna kvalita vrstiev bude vyhodnocovaná pomocou XRD a PL techník. Elektrické vlastnosti a mechanizmus transportu prúdu vo vertikálnych štruktúrach budú vyšetrované meraním I-V charakteristík v jednosmernom resp. transientnom režime a pri rôznych teplotách. Meraním do vysokých elektrických polí budeme analyzovať mechanizmus prierazu vo vertikálnych štruktúrach a možnosti zvyšovania elektrickej pevnosti. Práca bude prebiehať v spolupráci so zahraničnými pracoviskami.
  • Téma: Numerické simulácie magnetických skyrmiónov

    Školiteľ: Ing. Jaroslav Tóbik, PhD. ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Školiteľ špecialista: Dr. Michal Mruczkiewicz ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Popis: Skyrmióny sú časticiam podobné, topologicky netriviálne magnetické štruktúry [1]. Odkedy boli prvý krát experimentálne pozorované, sú stredobodom intenzívneho výskumu. Očakáva sa, že budú zohrávať centálnu úlohu v pamätiach ďalšej generácie a logických súčiastkách vďaka ich stabilite a vysokej pohyblivosti pôsobenej elektrickými prúdmi. No generovanie a pozorovanie skyrmiónov v nanoštruktúrach, ako napríklad nonodisky je stále výzvou [2, 3]. Cieľom práce budú analytické výpočty a numerické simulácie používajúce voľne šíriteľný softvér (napríklad  mumax3, OOMMF)  s cieľom študovať vplyv geometrie a iných parametrov na stabilizáciu a nukleáciu skyrmiónov. Ďalším cieľom bude skúmanie dynamickej odozvy a kontroly stavu magnetizácie pomocou externého poľa [4, 5]. Výsledky simulácií a výpočtov budú podporou pre experimentálne práce vykonané na ElU SAV (aktívna účasť kandidáta na experimentoch je možným scenárom). Analyzované štruktúry budú zvážené ako potenciálne súčiastky pre aplikácie ako pamäťové prvky alebo logické hradlá. Práca je v rámci medzinárodnej spolupráce  (Adam Mickiewicz University in Poznań, Poland; University of the Basque Country, Spain).
    [1] https://en.wikipedia.org/wiki/Magnetic_skyrmion
    [2] Beg, Marijan, et al. "Ground state search, hysteretic behaviour, and reversal mechanism of skyrmionic textures in confined helimagnetic nanostructures." Scientific reports 5 (2015).
    [3] Heo, Changhoon, et al. "Switching of chiral magnetic skyrmions by picosecond magnetic field pulses via transient topological states." arXiv preprint arXiv:1601.08212 (2016).
    [4] Kim, Joo-Von, et al. "Breathing modes of confined skyrmions in ultrathin magnetic dots." Physical Review B 90.6 (2014): 064410.
    [5] Ma, Fusheng, et al. "Skyrmion-based dynamic magnonic crystal." Nano letters 15.6 (2015): 4029-4036.
  •  
Aktualizované: 03.02.2017