Mgr. Fridrich Egyenes-Pörsök

Hrubišák, F., Hušeková, K., Zheng, X., Rosová, A., Dobročka, E., Ťapajna, M., Mičušík, M., Nádaždy, P., Egyenes, F., Keshtkar, J., Kováčová, E., Pomeroy, J.W., Kuball, M., and Gucmann, F.: Heteroepitaxial growth of Ga₂O₃ on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga₂O₃ power devices, J. Vacuum Sci Technol. A 41 (2023) 042708.

1. Woo, K.: J. Phys.-Mater. 7 (2024) 022003.
2. Vo, T.H.: Mater. Sci Semicond. Process. 173 (2024) 108130.
3. Akyol, F.: Mater. Sci Semicond. Process. 170 (2024) 107968.

Gucmann, F., Nádaždy, P., Hušeková, K., Dobročka, E., Priesol, J., Egyenes, F., Šatka, A., Rosová, A., and Ťapajna, M.: Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3 grown on sapphire by liquid-injection MOCVD, Mater. Sci Semicond. Process. 156 (2023) 107289.

1. Jewel, M.U.: Physica Status Solidi A 220 (2023) 2300036.
2. He, H.: Electronics 12 (2023) 4315.
3. Zhang, Y.F.: Nanotechnol. 35 (2024) 165502.
4. Vo, T.H.: Mater. Sci Semicond. Process. 173 (2024) 108130.

Dobročka, E., Gucmann, F., Hušeková, K., Nádaždy, P., Hrubišák, F., Egyenes, F., Rosová, A., Mikolášek, M., and Ťapajna, M.: Structure and thermal stability of ε/κ-Ga₂O₃ films deposited by liquid-injection MOCVD, Materials 16 (2023) 20.

1. Girolami, M.: J. Mater. Chem. C 11 (2023) 3759.

Egyenes-Pörsök, F., Gucmann, F., Hušeková, K., Dobročka, E., Sobota, M., Mikolášek, M., Fröhlich, K., and Ťapajna, M.: Growth of α- and β-Ga₂O₃ epitaxial layers on sapphire substrates using liquid-injection MOCVD, Semicond. Sci Technol. 35 (2020) 115002.

1. Tak, B.R.: J. Phys. D 54 (2021) 453002.
2. Zhou, J.G.: J. Mater. Res. 36 (2021) 4832.
3. Yang, D.: Electron. Mater. Lett. 18 (2022) 113.
4. Biswas, M.: APL Mater. 10 (2022) 060701.
5. Liu, Z.: J. Phys. D 56 (2023) 093002.
6. Jewel, M.U.: Physica Status Solidi A 220 (2023) 2300036.