Mgr. Peter HUTÁR

Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Tašková, V., Pribusová Slušná, L., Stoklas, R., Píš, I., Bondino, F., Munnik, F., and Hulman, M.: High carrier mobility epitaxially aligned PtSe2 films grown by one-zone selenization, Applied Surface Sci 538 (2021) 147936.

1. Lukas, S.: Adv. Function. Mater. 31 (2021) 2102929.
2. Nakazawa, T.: Photonics 8 (2021) 505.
3. Miller, A.M.: Zeit. Naturfor. B-A J. Chem. Sci 77 (2022) 313.

Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Bodík, M., Munnik, F., Hulman, M., and Chromik, Š.: Influence of precursor thin-film quality on the structural properties of large-area MoS2 films grown by sulfurization of MoO3 on c-sapphire, Applied Surface Sci 540 (2021) 148240.

1. Zhu, Z.S.: AIP Adv. 12 (2022) 035016.

Shaji, A., Vegso, K., Sojková, M., Hulman, M., Nádaždy, V., Hutár, P., Pribusová Slušná, L., Hrdá, J., Bodik, M., Hodas, M., Bernstorff, S., Jergel, M., Majková, E., Schreiber, F., and Šiffalovič, P.: Orientation of few-layer MoS2 films: in-situ x-ray scattering study during sulfurization, J. Phys. Chem. C 125 (2021) 9461–9468.

1. Kim, J.H.: Nano Energy 91 (2022) 106693.

Hagara, J., Mrkývkova, N., Nádaždy, P., Hodas, M., Bodík, M., Jergel, M., Majková, E., Tokár, K., Hutár, P., Sojková, M., Chumakov, A., Konovalov, O., Pandit, P., Roth, S., Hinderhofer, A., Hulman, M., Šiffalovič, P., and Schreiber, F.: Reorientation of π-conjugated molecules on few-layer MoS2 films, Phys. Chem. Chem. Phys. 22 (2020) 3097-3104.

1. Huang, Y.L.: Surface Rev. Lett. 28 (2021) 2140003.
2. Zhao, Y.D.: Chem. Rev. 122 (2022) 50.
3. Oliva, I.G.: Phys. Rev. Mater. 6 (2022) 054004.

Hutár, P., Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Végso, K., Hagara, J., Halahovets, Y., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Highly crystalline MoS2 thin films fabricated by sulfurization, Phys. Status Solidi B 256 (2019) 1900342.

1. Johari, M.H.: Nanomater. Nanotechnol.‏ 11 (2021) 1847980420981537.
2. Panasci, S.E.: Nanomater. 12 (2022) 182.

Hulman, M., Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Kotrusz, P., Hudec, J., Tokar, K., Majková, E., and Šiffalovič, P.: Polarized Raman reveals alignment of few-layer MoS2 films, J. Phys. Chem. C 123 (2019) 29468-29475.

1. Zuo, S.: Mater. Sci Semicond. Process. 121 (2021) 105457.
2. Rahmati, B.: J. Electron. Mater. 50 (2021) 3645.
3. Bai, X.: J. Hazard. Mater. 416 (2021) 125830.
4. Du, Y.H.: J. Phys.-Cond. Matt. 34 (2022) 224001.
5. Guo, Z.L.: ACS Nano 16 (2022) 11268.

Sojková, M., Chromik, Š., Rosová, A., Dobročka, E., Hutár, P., Machajdík, D., Kobzev, A.P., and Hulman, M.: MoS2 thin films prepared by sulfurization, Proc. SPIE 10354 (2017) 103541K-1.

1. Kokalj, D.: Coatings 10 (2020) 755.
2. Ghosh, S.: Energy 203 (2020) 117918.
3. Gupta, D.: Mater. Chem. Phys. 276 (2022) 125422.

Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Rosová, A., Čaplovičová, M., Ludacka, U., Skákalová, V., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization, RSC Adv. 9 (2019) 29645-29651.

1. Balasubramanyam, S.: ACS Applied Mater. Interfaces 12 (2020) 3873.
2. Cichocka, M.O.: ACS Applied Mater. Interfaces 12 (2020) 15867.
3. Lee, J.: ACS Nano 14 (2020) 17114.
4. Navarro-Gamarra, K.E.: J. Phys. Chem. C 125 (2021) 2005.
5. Panasci, S.E.: Nanomater. 12 (2022) 182.