Mgr. Peter HUTÁR

Hutár, P., Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Végso, K., Hagara, J., Halahovets, Y., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Highly crystalline MoS2 thin films fabricated by sulfurization, Phys. Status Solidi B 256 (2019) 1900342.

1. Johari, M.H.: Nanomater. Nanotechnol.‏ 11 (2021) 1847980420981537.

Hulman, M., Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Kotrusz, P., Hudec, J., Tokar, K., Majková, E., and Šiffalovič, P.: Polarized Raman reveals alignment of few-layer MoS2 films, J. Phys. Chem. C 123 (2019) 29468-29475.

1. Zuo, S.: Mater. Sci Semicond. Process. 121 (2021) 105457.

Sojková, M., Chromik, Š., Rosová, A., Dobročka, E., Hutár, P., Machajdík, D., Kobzev, A.P., and Hulman, M.: MoS2 thin films prepared by sulfurization, Proc. SPIE 10354 (2017) 103541K-1.

1. Kokalj, D.: Coatings 10 (2020) 755.
2. Ghosh, S.: Energy 203 (2020) 117918.

Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Rosová, A., Čaplovičová, M., Ludacka, U., Skákalová, V., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization, RSC Adv. 9 (2019) 29645-29651.

1. Balasubramanyam, S.: ACS Applied Mater. Interfaces 12 (2020) 3873.
2. Cichocka, M.O.: ACS Applied Mater. Interfaces 12 (2020) 15867.
3. Lee, J.: ACS Nano 14 (2020) 17114.