Ján DÉRER

  • 2017
Neilinger (Sečianska), K., Šoltýs, J., Mruczkiewicz, M., Dérer, J., Cambel, V., : Dual-cantilever magnetometer for study of magnetic interactions between patterned permalloy microstructures. J. Magnetism Magnetic Mater. 444 (2017) 354-360. (APVV 0088-12). (CENTE II). (VEGA 2/0183/15).

 

Laurenčíková, A., Novotný, I., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Eliáš, P., Kováč, J., Kováč, J., Dobročka, E., Novák, J., : Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires. Applied Surface Sci 395 (2017) 162-165. (APVV 0395-12). (APVV 14-0297). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 

Gregušová, D., Blaho, M., Haščík, Š., Šichman, P., Laurenčíková, A., Seifertová, A., Dérer, J., Brunner, F., Würfl, H., Kuzmík, J., : Polarization-engineered n+GaN/InGaN/AlGaN/GaN normally-off MOS HEMTs. Physica Status Solidi a 214 (2017) 1700407. (HiPoSwitch). (APVV 15-0031). (SAFEMOST). (VEGA 2/0109/17).

 

Laurenčíková, A., Dérer, J., Hasenöhrl, S., Eliáš, P., Novák, J., : Preparation of methanol concentration sensor with nanostructured surface In: Proc. ADEPT. 5st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. I. Lettrichová et al. Žilina: Univ. Žilina 2017. ISBN 978-80-554-1342-6. P. 243-246.. (APVV 14-0297). (VEGA 2/0104/17). (CENTE II).

 

  • 2016
Neilinger (Sečianska), K., Šoltýs, J., Truchly, M., Dérer, J., Cambel, V., : Fabrication of double cantilever sensor for study of magnetic microstructures. In: Proc. 22th Inter. Conf. on Applied Phys. of Cond. Matter (APCOM 2016). Eds. J. Vajda and I. Jamnický. Bratislava: FEI STU 2016. ISBN 978-80-227-4572-7. P. 61-64..(CENTE II). (VEGA 2/0183/15).

 

Laurenčíková, A., Lettrichová, I., Pudiš, D., Hasenöhrl, S., Šušlik, Ľ., Haščík, Š., Dérer, J., Novák, J., : Integration of fresnel structure on AlGaAs/GaAs led devices In: Proc. ADEPT. 4st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. J. Kováč,jr. et al. Žilina: Univ. Žilina 2016. ISBN 978-80-554-1226-9. P. 179-182.

 

  • 2015
Neilinger (Sečianska), K., Šoltýs, J., Tóbik, J., Dérer, J., Cambel, V., : Cantilever sensor for study of magnetic microstructures In: Proc. 21th Inter. Conf. on Applied Phys. of Cond. Matter (APCOM 2015). Eds. J. Vajda and I. Jamnický. Bratislava: FEI STU 2015. ISBN 978-80-227-4373-0. P. 189-193. (VEGA 2/0183/15). (ASFEU ITMS 26240220088).

 

Laurenčíková, A., Novotný, I., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Eliáš, P., Kováč, J., Kováč, J., Novák, J., : Covering of GaP NW arrays with ZnO layer prepared at different sputering conditions In: Proc. ADEPT. 3st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. D. Pudis et al. Žilina: Univ. Žilina 2015. ISBN 978-80-554-1033-3. P. 71-74.. (APVV 0395-12). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 

Laurenčíková, A., Novotný, I., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Kováč, J., Kováč, J., Eliáš, P., Novák, J., : Formation of compact covering of vertically standing GaP nanowire arrays by Ga-doped ZnO layer. In: Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Sci. 2015 – SURFINT-SREN IV. Extend. Abstract Book. Ed. R. Brunner. Bratislava: CU 2015. ISBN: 978-80-223-3975-9. P. 93.

 

Gucmann, F., Kúdela, R., Kordoš, P., Dobročka, E., Gaži, Š., Dérer, J., Liday, J., Vogrinčič, P., Gregušová, D., : III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap. J. Vacuum Sci Technol. B 33 (2015) 01A111. (VEGA 2/0105/13). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 

Ščepka, T., Polakovič, T., Šoltýs, J., Tóbik, J., Kulich, M., Kúdela, R., Dérer, J., Cambel, V., : Individual vortex nucleation/annihilation in ferromagnetic nanodots with broken symmetry observed by micro/Hall magnetometry. AIP Adv. 5 (2015) 117205.. (APVV 0088-12). (APVV 0036-11). (CENTE).

 

Čičo, K., Jančovič, P., Dérer, J., Šmatko, V., Rosová, A., Blaho, M., Hudec, B., Gregušová, D., Fröhlich, K., :Resistive switching in nonplanar HfO2-based structures with variable series resistance. J. Vacuum Sci Technol. B 33 (2015) 01A108.. (APVV 0509-10). (VEGA 2/0138/14). (CENTE II).

 

Blaho, M., Gregušová, D., Haščík, Š., Jurkovič, M., Ťapajna, M., Fröhlich, K., Dérer, J., Carlin, J., Grandjean, N., Kuzmík, J., : Self-aligned normally-off metal-oxide-semiconductor n+++GaN/InAlN/GaN high-electron mobility transistors. Phys. Status Solidi A 112 (2015) 1086-1090. (MORGaN). (APVV 0367-11). (VEGA 2/0138/14). (CENTE).

 

  • 2014
Laurenčíková, A., Hasenöhrl, S., Dérer, J., Eliáš, P., Hronec, P., Kováč, J., Novák, J., : Fabrication of GaP nanowire arrays on top InGaP solar cells In: Proc. ADEPT. 2st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. D. Pudis et al. Žilina: Univ. Žilina 2014. ISBN 978-80-554-0881-1. P. 259-262. (APVV 0301-10). (APVV 0395-12). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 

Gucmann, F., Gregušová, D., Stoklas, R., Dérer, J., Kúdela, R., Fröhlich, K., Kordoš, P., : InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with oxygen-plasma oxide and Al2O3 double-layer insulator. Applied Phys. Lett. 105 (2014) 183504. (VEGA 2/0105/13). (VEGA 2/0138/14). (CENTE).

 

Blaho, M., Dérer, J., Liday, J., Vogrinčič, P., Kordoš, P., Novák, J., Gregušová, D., : Low temperature ohmic contacts for self/aligned GaN-based HEMTs In: Proc. ADEPT. 2st Inter. Conf. on Advan. in Electronic and Photonic Technol. Eds. D. Pudis et al. Žilina: Univ. Žilina 2014. ISBN 978-80-554-0881-1. P. 124-128. (VEGA 2/0105/13). (VEGA 2/0098/13). (CENTE).

 

Jančovič, P., Hudec, B., Dobročka, E., Dérer, J., Fedor, J., Fröhlich, K., : Resistive switching in HfO2-based atomic layer deposition grown metal-insulator-metal structures. Applied Surface Sci 312 (2014) 112-116.(APVV 0509-10). (VEGA 2/0138/14). (CENTE).

 

Hudec, B., Paskaleva, A., Jančovič, P., Dérer, J., Fedor, J., Rosová, A., Dobročka, E., Fröhlich, K., :Resistiveswitching in TiO2-based metal-insulator-metal structures with Al2O3 barrier layer at the metal/dielectric interface. Thin Solid Films 563 (2014) 10-14. (VEGA 2/0138/14). (APVV 0509-10).

 

  • 2013
Fröhlich, K., Jančovič, P., Hudec, B., Dérer, J., Paskaleva, A., Bertaud, T., Schroeder, T., : Atomic layer deposition of thin oxide films for resistive switching. ECS Trans. 58 (2013) 163-170. (VEGA 2-0147-11). (APVV 0509-10). (KCMTE).

 

Horváth, B., Hronec, M., Vávra, I., Šustek, M., Križanová, Z., Dérer, J., Dobročka, E., : Direct gas-phase epoxidation of propylene over nanostructured molybdenum oxide film catalysts,. Catal. Comm. 34 (2013) 16-21.

 

Barančeková Husaníková, P., Fedor, J., Dérer, J., Šoltýs, J., Cambel, V., Iavarone, M., May, S., Karapetrov, G., : Magnetization properties and vortex phase diagram of CuxTiSe2 single crystals. Phys. Rev. B 88 (2013) 174501. (APVV 0036-11). (ITMS 26220220170).

 

  • 2012
Vávra, I., Križanová, Z., Dérer, J., Humlíček, J., : Mo/SiO2 nanocomposite films for optical coatings prepared by vacuum magnetron sputtering. Vacuum 86 (2012) 742-744. (VEGA 2/6100/26).

 

  • 2007
Majchrák, P., Dérer, J., Lobotka, P., Vávra, I., Frait, Z., Horváth, D., : Ferromagnetic resonance study of exchange and dipolar interactions in discontinuous multilayers. J. Applied Phys. 101 (2007) 113911.

 

Majchrák, P., Vávra, I., Lobotka, P., Dérer, J., Frait, Z., Horváth, D., : FMR in nanosystems – discontinous multilayers Fe/SiO2/Fe Modern Phys. Lett. B 21 (2007) 1201-1206.

 

Lobotka, P., Dérer, J., Vávra, I., de Julián Fernandez, C., Mattei, G., Mazzoldi, P., : Single-electron transport and magnetic properties of Fe-SiO2 nanocomposites prepared by ion implantation. Phys. Rev. B 75 (2007) 024423-1-7.

 

  • 2006
Vávra, O., Gaži, Š., Golubovič, J., Vávra, I., Dérer, J., Verbeeck, J., van Tendeloo, G., Moshchalkov, V., : 0 and π phase Josephson coupling through an insulating barrier with magnetic impurities. Phys. Rev. B 74 (2006) 020502.

 

Vávra, O., Gaži, Š., Vávra, I., Golubovič, J., Dérer, J., Moshchalkov, V., : Integration method for visualization of the suppressed Josephson supercurrent. Physica C 435 (2006) 92-95.

 

  • 2004
Vávra, O., Gaži, Š., Vávra, I., Dérer, J., Kováčová, E., : High efficiency Andreev reflection observed in Nb/Fe0.5Si0.5/Nb Josephson junctions. Physica C 404 (2004) 395-399.

 

  • 2003
Fedor, J., Cambel, V., Gregušová, D., Hanzelka, P., Dérer, J., Volko, J., : Scanning vector Hall probe microscope. Rev. Sci Instruments 74 (2003) 5105-5110.

 

  • 2002
Vávra, O., Gaži, Š., Bydžovský, J., Dérer, J., Kováčová, E., Frait, Z., Marysko, M., Vávra, I., : Study of the proximity effect in the Nb′/FexSi1−x/Nb tunnel junctions. J. Magnetism Magnetic Mater. 240 (2002) 583-585.

 

  • 2000
Vávra, I., Bydžovský, J., Švec, P., Dérer, J., Kamberský, V., Frait, Z., Lopušnik, R., Šturc, P., Hilscher, G., :Low-temperature studies of magnetic Fe/FeSi multilayers. Physica B 284-288 (2000) 1241-1242.

 

  • 1998
Vávra, I., Lobotka, P., Dérer, J., Wallenberg, L., : Structural and electrical properties of superconducting Nb/Si multilayers Vacuum 50 (1998) 31.

 

Vávra, I., Bydžovský, J., Švec, P., Harvanka, M., Dérer, J., Frait, Z., Kamberský, V., Lopušnik, R., Višnovský, Š., Kubena, A., Holý, V., : Structural, electrical and magnetic properties of Fe/Si and Fe/FeSi multilayers Acta Physica Slovaca 48 (1998) 743.

 

  • 1997
Lobotka, P., Vávra, I., Gaži, Š., Plecenik, A., Dérer, J., : Josephson junction with an amourphous silicon barrier J. Low Temper. Phys. 106 (1997) 381.

 

Vávra, I., Lobotka, P., Dérer, J., Gaži, Š., Wallenberg, L., Holý, V., Kubena, A., Sobota, J., : Stacked Josephson junction based on Nb/Si superlattice J. Low Temper. Phys. 106 (1997) 373.

 

  • 1996
Vávra, I., Lobotka, P., Gaži, Š., Dérer, J., Kubena, A., Holý, V., Bochníček, Z., : Thermal stability of SIS tunnel junction with silicon barrier Czechoslovak J. Phys. 46 (1996) 675.

 

Lobotka, P., Vávra, I., Gaži, Š., Dérer, J., : Vertically stacked (Nb/Si) 10 Josephson Junction Czechoslovak J. Phys. 46 (1996) 701.

 

  • 1994
Vávra, I., Dérer, J., Gaži, Š., Lobotka, P., : SIS tunnel junction with silicon barrier. In: Weak Superconductivity. Eds. Š.Beňačka et al. Bratislava: IEE SAS 1994. P. 289.

 

  • 1989
Vávra, I., Dérer, J., Osvald, J., Illiťová, G., Wiedermann, M., : Naprašovanie viaczložkových tenkých vrstiev. In: Aktuality technologie a konstrukce polovodičových součástek TESLA. Díl 26. Eds. I. Vávra et al. Ostrava: DT ČSVTS 1989. S. 1.

 

Illiťová, G., Dérer, J., Vávra, I., : Vplyv podmienok magnetotrónového naprašovania na zloženie tenkých vrstiev YBaCuO, Čs. časopis pro fyziku A 39 (1989) 494.

 

  • 1988
Dérer, J., Illiťová, G., Beňačka, Š., Koller, A., Skácel, V., Štrbik, V., Šmatko, V., Schilder, J., : Y-Ba-Cu-O superconducting films prepared by RF magnetron sputtering Czechosl. J. Phys. B 38 (1988) 233.

 

  • 1986
Dérer, J., Štrbik, V., : Preparation and properties of Nb-oxidePb superconducting tunnel junctions. In: Proc. 4th Czechoslov. Symp. Weak Supercond. Bratislava: IEE SAS 1986. P. 108.

 

  • 1983
Vávra, I., Buch, J., Dérer, J., : Technologija prigotovlenija sverchprovodjaščich plenok niobija. In: Sbornik dokladov 3. čechoslov. simp. po slaboj sverchprov. Bratislava: EÚ CEFV SAV 1983. S. 81.

 

  • 1974
Guldan, A., Luby, Š., Chromik, Š., Schilder, J., Vávra, I., Dérer, J., : Príprava a vlastnosti molybdénových vrstiev pre použitie v MOS integrovaných obvodoch. In: II. celoštát. seminár o technológii a použití integr. obvodov typu MOS. Bratislava: ES SVŠT 1974. S. 77.