Mgr. Peter HUTÁR

  • 2021

Kozak,A., Precner, M., Hutár, P., Bodík, M., Vegso, K., Halahovets, Y., Hulman, M., Siffalovic, P., and Ťapajna, M.: Angular dependence of nanofriction of mono- and few-layer MoSe2, Applied Surface Sci 567 (2021) 150807.

Shaji, A., Vegso, K., Sojková, M., Hulman, M., Nádaždy, P., Hutár, P., Pribusová Slušná, L., Hrdá, J., Bodik, M., Hodas, M., Bernstorff, S., Jergel, M., Majková, E., Schreiber, F., and Šiffalovič, P.: Orientation of few-layer MoS2 films: in-situ x-ray scattering study during sulfurization, J. Phys. Chem. C 125 (2021) 9461–9468.

Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Bodík, M., Munnik, F., Hulman, M., and Chromik, Š.: Influence of precursor thin-film quality on the structural properties of large-area MoS2 films grown by sulfurization of MoO3 on c-sapphire, Applied Surface Sci 540 (2021) 148240.

Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Tašková, V., Pribusová Slušná, L., Stoklas, R., Píš, I., Bondino, F., Munnik, F., and Hulman, M.: High carrier mobility epitaxially aligned PtSe2 films grown by one-zone selenization, Applied Surface Sci 538 (2021) 147936.

  • 2020

Hutár, P., Sojková, M., Kundrata, I., Vegso, K., Shaji, A., Nádaždy, P., Pribusová Slušná, L., Majková, E., Siffalovic, P., and Hulman, M.: Correlation between the crystalline phase of molybdenum oxide and horizontal alignment in thin MoS2 films, J. Phys. Chem. C 124 (2020) 19362–19367.

Hagara, J., Mrkývkova, N., Nádaždy, P., Hodas, M., Bodík, M., Jergel, M., Majková, E., Tokár, K., Hutár, P., Sojková, M., Chumakov, A., Konovalov, O., Pandit, P., Roth, S., Hinderhofer, A., Hulman, M., Šiffalovič, P., and Schreiber, F.: Reorientation of π-conjugated molecules on few-layer MoS2 films, Phys. Chem. Chem. Phys. 22 (2020) 3097-3104.

Sojková, M., Dobročka, E., Hutár, P., Tašková, V., Pribusová Slušná, L., Stoklas, R., Píš, I., Bondino, F., Hulman, M., and Gregušová, D.: Epitaxially aligned PtSe2 films grown by one-zone selenization. In Proc. 8th Inter. Conf. on Advances in Electron. Photon. Technol. – ADEPT. Žilina: EDIS 2020. ISBN 978-80-554-1735-6. P. 6-9.

  • 2019

Hutár, P., Španková, M., Sojková, M., Dobročka, E., Végso, K., Hagara, J., Halahovets, Y., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Highly crystalline MoS2 thin films fabricated by sulfurization, Phys. Status Solidi B 256 (2019) 1900342.

Hulman, M., Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Kotrusz, P., Hudec, J., Tokar, K., Majková, E., and Šiffalovič, P.: Polarized Raman reveals alignment of few-layer MoS2 films, J. Phys. Chem. C 123 (2019) 29468-29475.

Sojková, M., Végso, K., Mrkývkova, N., Hagara, J., Hutár, P., Rosová, A., Čaplovičová, M., Ludacka, U., Skákalová, V., Majková, E., Šiffalovič, P., and Hulman, M.: Tuning the orientation of few-layer MoS2 films using one-zone sulfurization, RSC Adv. 9 (2019) 29645-29651.

  • 2017
Sojková, M., Chromik, Š., Rosová, A., Dobročka, E., Hutár, P., Machajdík, D., Kobzev, A., Hulman, M., : MoS2 thin films prepared by sulfurization Proc. SPIE 10354 (2017) 103541K-1. (CENTE II). (APVV 15-0693). (VEGA 2/0149/17). (VEGA 2/0178/15).