• 2023

Dobročka, E., Gucmann, F., Hušeková, K., Nádaždy, P., Hrubišák, F., Egyenes, F., Rosová, A., Mikolášek, M., and Ťapajna, M.: Structure and thermal stability of ε/κ-Ga2O3 films deposited by liquid-injection MOCVD, Materials 16 (2023) 20.

Egyenes, F., Gucmann, F., Rosová, A., Dobročka, E., Hušeková, K., Hrubišák, F., Keshtkar, J., and Ťapajna, M.: Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions, J. Phys. D: Appl Phys. 56 (2023) 045102.

  • 2022

Hrubišák, F., Hušeková, K., Egyenes, F., Gucmann, F., Dobročka, E., Keshtkar, J., and Ťapajna, M.: Effects of repeated annealing in different atmospheres on surface morphology of ε-/κ-Ga2O3 grown on c-plane sapphire using LI-MOCVD method. In: ELITECH´22: 24th Conf. Doctoral Students Ed. A. Kozáková. Bratislava: Spektrum STU, 2022. ISBN 978-80-227-5192-6.

Hrubišák, F., Hušeková, K., Egyenes, F., Rosová, A., Kubranská, A., Dobročka, E., Nádaždy, P., Keshtar, J., Gucmann, F., and Ťapajna, M.: Structural and electrical properties of Ga2O3 transistors grown on 4H-SiC substrates. In: ASDAM 2022. Eds. J. Marek et al. IEEE 2022. ISBN 978-1-6654-6977-7. P. 115-118.

Hrubišák, F., Egyenes, F., Dobročka, E., Gucmann, F., Hušeková, K., Keshtkar, J., and Ťapajna, M.: Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD. In Proc. 10th Inter. Conf. on Advances in Electron. Photon. Technol. – ADEPT. Eds. M. Feiler et al. Žilina: EDIS 2022. ISBN 978-80-554-1884-1. P. 47-50.