Reprezentatívne výsledky

2018

  • Štúdium polovodičových detektorov ionizujúceho žiarenia na báze 4H-SiC epitaxnej vrstvy

Polovodičové detektory ionizujúceho žiarenia sú významnou oblasťou vo výskumnej činnosti, pretože sa využívajú v mnohých oblastiach ľudskej činnosti ako je monitorovanie žiarenia jadrovej energetike, medicíne, vo vesmínom výskume a pod. Keďže tieto detektory apriori pracujú v sťaženom prostredí je snaha hľadať materiály s vysokou radiačnou a tiež teplotnou odolnosťou. K takýmto materiálom sa zaraďuje SiC (karbid kremíka). Súčasťou nášho výskumu bolo skúmanie radiačnej odolnosti nami pripravených detekčných štruktúr a ich prípadné porovnanie s detektormi na báze Si (kremíka), ktoré sú v súčasnosti najviac využívané. Obrázok nižšie ukazuje porovnanie Si a SiC detektora ako sa zmení jeho energetické rozlíšenie v prípade ožiarenia 5 MeV elektrónmi. Je vidieť, že Si detektor prestal rozlišovať energetické čiary testovacieho žiariča (241Am) už pri ožiarení dávkou 1 kGy avšak SiC detektor ich stále rozlišuje aj po dávke 30 kGy.

 

 

Zaťko, B., Hrubčín, L., Šagátová, A., Osvald, J., Boháček, P., Zápražný, Z., Sedlačková, K., Sekáčová, M., Dubecký, F., Skuratov, V.A., Korytár, D., and Nečas, V.: Schottky barrier detectors based on high quality 4H-SIC semiconductor: electrical and detection properties, Applied Surface Sci 461 (2018) 276-280.

Hrubčín, L., Gurov, J.B., Zaťko, B., Mitrofanov, S.V. Rozov, S.V., Sedlačková, K., Sandukovskij, V.G. Semin, V.A., Nečas, V., and Skuratov, V.A.: Characteristics of Si and SiC detectors at registration of Xe ions, J. Instrument. 13 (2018) P11005.

 

2017

2016

2015

 2014

2013

2012