Témy PhD prác

Pre r. 2018/2019 vypisuje Elektrotechnický ústav nasledovné témy pre študijné programy: 5.2.48 „Fyzikálne inžinierstvo“, 5.2.13 „Elektronika a fotonika“ a 4.1.3 „Fyzika kondenzovaných látok a akustika“

5.2.48 „Fyzikálne inžinierstvo“

  • Téma: Tepelná stabilita kompozitných MgB2 supravodičov pri vysokých prúdových hustotách

    Školiteľ: Ing. P. Kováč, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Uplatnenie MgB2 supravodičov je najaktuálnejšie pre oblasť stredných a nízkych magnetických polí (1-5 T) a teplote okolo 20 K (magnety pre MRI, generátory, motory), kde sú vysoké transportné prúdy a preto je zvlášť aktuálna aj požiadavka dobrej tepelnej stability. Bude sa experimentálne študovať a tiež modelovať tepelná stabilita vzoriek kompozitných supravodičov pri nízkych teplotách (4.2-20K) s dobre vodivým stabilizačným prvkom (Cu, Al). Pomocou merania V-A charakteristík v oblasti nad kritickou prúdovou hustotou a tiež pomocou pulzných prúdov budeme určovať generované teplo a kritický ohrev MgB2 drôtov a káblov s rôznou stabilizáciou. Získané výsledky umožnia optimalizovať konštrukciu MgB2 supravodiča tak, aby bol dostatočne stabilný pri pracovných podmienkach.
  • Téma: Technológia pokročilých homogénnych supravodičov s keramickými vláknami

    Školiteľ: Ing. P. Kováč, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Vysokoteplotné supravodivé materiály objavené v posledných desaťročiach sú prevažne keramického charakteru (BSCCO, borid horčíka a pniktidy železa). Praktické použitie týchto supravodičov vyžaduje ich zakomponovanie do kompozitné drôtov s niekoľkými kovovými obalmi, čo kladie zvláštne nároky na tvárnenie komponentov s veľmi rozdielnymi mechanickými vlastnosťami a tiež na tepelné spracovanie alebo použitie bariéry, aby sa predišlo vzájomnej reakcii vlákien a obalov. V rámci tejto témy sa budú pripravovať kompozitné drôty so supravodivými vláknami s vysokou pozdĺžnou homogenitou (predovšetkým s Mg jadrom a bórovým práškom). Homogenita keramických vlákien bude testovaná na priečnych a pozdĺžnych rezov ako aj pomocou röntgenovej tomografie a chemickej reakcie na rozhraniach pomocou SEM a EDX analýz. Merania volt-ampérových charakteristík budú použité jak na určenie kritických prúdov tak aj na množstvo generovaného tepla (ohrevu) kompozitných drôtov pri vysokých jednosmerných prúdoch. Získané výsledky umožnia optimalizovať konštrukciu kompozitného supravodiča tak, aby mal nielen vysoké prúdové hustoty ale bol tiež dostatočne stabilný pri pracovných podmienkach.
  • Téma: Vplyv nehomogenít na funkčné vlastnosti supravodivých pások
    Školiteľ: doc. Ing. Fedor Gömöry, DrSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: V návrhu supravodivých zariadení, ako i v teoretických výpočtoch, sa štandarde predpokladá, že supravodivý materiál je homogénny. Napríklad v modelovaní elektromagnetických vlastností káblov alebo cievok z páskových vodičov na báze vysokoteplotných supravodičov sa používa kritický prúd, ktorého hodnota v referenčných podmienkach (napríklad nulové naložené magnetické pole a teplota varu kvapalného dusíka) je v každom úseku vodiča rovnaká. Je ale známe, že v skutočnosti táto hodnota fluktuuje, a výrobcovia sú schopní dodať údaje o rozložení kritického prúdu pozdĺž pásky. Práca je zameraná na vývoj metodiky, ktorou by sa dal rozptyl kritického prúdu popísať zavedením metód štatistickej analýzy. Súčasťou práce bude skúmanie dopadov veľkosti fluktuácie na vlastnosti supravodivého zariadenia a porovnanie teoretických predpovedí s experimentom.
  • Téma: Supravodivá pumpa indukčného magnetického toku pre motory, generátory a magnety

    Školiteľ: Mgr. E. Pardo, PhD. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: Supravodiče sú nevyhnutné pre generovanie vysokých polí v relatívne veľkých objemoch ako je magnetická rezonancia (MRI), časticové urýchľovače (LHC v CERN-e) a fúzne magnety (ITER). Taktiež umožňujú dramatickú redukciu hmotnosti vysoko výkonných motorov a generátorov pre elektrické a hybridné komerčné lietadlá a veterné turbíny ďalšej generácie. REBCO vysoko teplotné supravodiče sú sľubné materiály, keďže dokážu zvýšiť operačnú teplotu na oblasť tekutého vodíka a dusíka. Problém v súčasných motoroch a generátoroch je bezkontaktné napájanie magnetických vinutí v rotore. Riešenie je magnetická pumpa, ktorá využíva dynamicko magnetický odpor pások na dosiahnutie usmerňovacieho efektu. A však, fyzikálny princíp celého procesu nie je stále dostatočne vysvetlený. Dizertačná práca má vysvetliť tento princíp pomocou elektro-magnetického modelovania. Získané poznatky poslúžia k vývoju novej magnetickej pumpy. Pre tento účel PhD študent prispôsobí a vylepší náš software. Vývoj software zahŕňa aj paralelne programovanie pre výpočty na superpočítači Aurel. Skúsenosti v programovacích jazykoch C++, Python, Fortran a Matlab sú vítané, ale nie podmienečne. Študent získa skúsenosti a úžitok z prebiehajúcej medzinárodnej spolupráce na našom európskom projekte ASUME. Projekt je zameraný na supravodivý motor pre komerčné letecké pohony (http://www.asumed.oswald.de/).
  • Téma: MgB2 kompozitné supravodiče pripravené difúziou pri znížených teplotách žíhania a ich vlastnosti

    Školiteľ: Ing. A. Rosová, CSc. ( Oddelenie supravodičov)
    Popis: MgB2 supravodiče sú materiály s nízkou mernou hmotosťou a stredne vysokou kritickou teplotou supravodivého prechodu. To ich predurčuje na použitie všade tam, kde je dôležitá nízka hmotnosť zariadenia a nevyžadujú chladenie héliom. Pripravujú sa ako kompozitné drôty s niekoľkými kovovými obalmi, čo kladie zvláštne nároky na tvárnenie komponentov s veľmi rozdielnymi mechanickými vlastnosťami a tiež na tepelné spracovanie alebo použitie bariéry, aby sa predišlo vzájomnej reakcii vlákien a obalov. Súčasťou práce bude sledovanie vplyvu teplotného režimu žíhania aktivujúceho vznik MgB2 fázy na mikroštruktúru jednotlivých častí kompozitu a vlastnosti supravodiča. Mikroštruktúra ako aj vzájomná reakcia materiálov sa bude analyzovať transmisnou aj odrazovou elektrónovou mikroskopiou, EDS a WDS analýzou. Cieľom práce bude nájsť prepojenie medzi technologickým spracovaním, mikroštruktúrou a supravodivými vlastnosťami drôtov a optimalizácia týchto vlastností.

5.2.13 „Elektronika a fotonika“

  • Téma: P-GaN elektronika pre úsporu energie a nové typy integrovaných obvodov
    Školiteľ: RNDr. D. Gregušová, DrSc. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: III-N polovodiče sú pravdepodobne najuniverzálnejšia a veľmi nádejná skupina polovodičov pozostávajúca z umelých zlúčenín GaN, AlN a InN vyznačujúca sa vysokým polarizačným nábojom intenzívne využívaným  v návrhu súčiastok.  Využiie III-N súčiastok je  v oblasti výkonovej elektroniky ale tiež i v oblasti rýchlych integrovaných obvodov pre špeciálne aplikácie  a extrémne podmienky. Cieľom práce bude na základe kombinácie využitia polarizačných nábojov jednotlivých vrstiev v heteroštruktúre a p-dotácie pripraviť tranzistor pracujúci v obohacovacom režime. Použitím dotácie v krycej vrstve  InGaN  predpokladáme  možnosť nastavenia  threshold napätia v takých hodnotách, aby postačovali  priemyselným potrebám (viac ako 3V). Aby bolo možné naplno odhaliť potencíál, ktorý III-N štruktúry ako nádejné materiály pre budúce integrované obvody v sebe majú, je potrebné tiež vyvinúť efektívnu p-dotáciu kanálovej vrstvy, navrhnúť, vyvinúť a overiť nový typ heteroštruktúry, ktorý bude schopný eliminovať n-typ kanála a zamedziť tak ambipolárnej vodivosti súčiastok použiteľných v integrovaných obvodoch.
  • Téma: Vývoj senzora na báze GaN pre vesmírne aplikácie
    Školiteľ: Ing. R. Stoklas, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Vývoj v oblasti fotodetektorov na báze GaN zaznamenal v poslednom období výrazný pokrok. GaN sa vyznačuje vysokou radiačnou odolnosťou v porovnaní s Si a GaAs, čo je výhodné najmä pre vesmírne aplikácie. Fotodetektor, v konštrukcii kov-polovodič-kov, pozostáva z interdigitálneho usporiadania kovových kontaktov nanesených na polovodičovom substráte. Kov-polovodič je tvorený pomocou Schottkyho alebo usmerňujúceho kontaktu. Kombináciou dvoch Schottkyho kontaktov je možné realizovať fotodetektor s nízkym šumom, a vysokou citlivosťou, najmä v dôsledku nízkeho prúdu za tmy, rýchlej odozvy a kompatibility s rýchlymi integrovanými obvodmi. Zmenou vzdialenosti jednotlivých kontaktov je možné výrazne znížiť prechodový čas nosičov náboja (elektrónov) a zvýšiť odozvu detektora. Spektrálna citlivosť detektora závisí od šírky zakázaného pásma polovodiča. Rýchlosť závisí od geometrii kontaktov, ako aj od pohyblivosti nosičov náboja. Okrem kvality kontaktu kov-polovodič je prúd za tmy závislý od hustoty porúch v objeme a na povrchu polovodiča. Okrem kovových elektród sa očakáva použitie transparentných vodičov ako napr. „indium thin oxide“ (ITO).
    Predmetom dizertačnej práce bude vývoj senzora na báze GaN pre družicový systém. Kľúčovou oblasťou bude elektrická charakterizácia senzora (šum, citlivosť a použitie vhodnej aktívnej oblasti).
  • Téma: Vývoj a charakterizácia štruktúr MOS pre výkonové tranzistory na báze širokopásmových polovodičov
    Školiteľ: Ing. Milan Ťapajna, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Napriek novej technológii, laterálne tranzistory na báze GaN už dnes prevyšujú parametre moderných Si súčiastok, vďaka čomu prevodníky s GaN prvkami dosahujú efektivitu prevodu až na úroveni 99%. Pri zvyšovaní výkonu prevodníkov však laterálne GaN tranzistory narážajú na obmedzenia v oblasti dosahovaných prierazných napätí (~1 kV), tepelných efektov, frekvenčnej disperzie a púzdrenia. Pre plné využitie potenciálu excelentných vlastností GaN materiálu je preto žiadúci vývoj vertikálnych konceptov GaN spínacích tranzistorov s hradlovou štruktúrou kov-oxid-polovodič (MOS). Ďalším sľubným materiálom pre realizáciu výkonových MOSFET-ov predstavuje b-Ga2O3, ktorý dosahuje prierazné elektrické pole až 8 MV/cm. Cieľom dizertačnej práce bude vývoj technológie a detailná charakterizácia elektro-fyzikálnych vlastností MOS hradiel s 2-D a 3-D architektúrou pre výkonový GaN prípadne b-Ga2O3 MOSFET. Pre tento účel bude potrebné získanie nových poznatkov o tvorbe a rozložení nábojov v MOS štruktúre a možností ich technologickej kontroly pre nastavenie prahového napätia tranzistotra a optimalizácia kvality rozhrania oxid/polovodič za účelom potlačenia nežidúcich nestabilít súčiastky. V práci budú využité moderné technologické postupy dostupné na Elektrotechnickom ústave SAV, detailná elektrická a štruktúrna charakterizácia a simulácie MOSFET štruktúr.
  • Téma: Výskum spoľahlivosti tranzistorov na báze GaN pre spínacie aplikácie
    Školiteľ: Ing. Milan Ťapajna, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Nová generácia výkonových tranzistorov na báze GaN polovodičov postupne nachádza aplikácie v telekomunikačnej a automobilovej elektronike. Razantnejšie uplatnenie tejto technológie na trhu je však spomaľované nedostatočnou spoľahlivosťou GaN tranzistorov, čo vedie k potrebe skúmania procesov ich degradácie. Cieľom práce bude skúmanie spoľahlivosti heteroštruktúrnych poľom riadených tranzistorov (HFET) na báze GaN pracujúcich v ochudobňovacom aj obohacovacom režime ako ich vzájomné porovnanie. Na tranzistoroch pripravených na ElÚ SAV ako aj súčiastkach dodaných zahraničnými partnermi budú analyzované degradačné mechanizmy tranzistorov vystavených elektrickému namáhaniu v rôznych módoch (DC namáhanie, impulzné namáhanie, namáhanie hradla) s využitím elektrickej charakterizácie (DC a impulzné prúdovo-napäťové, kapacitné a tranzientné merania) a diagnostiky (optická, SEM a AFM mikroskopia). Budú skúmané procesy tvorby porúch a ich vplyv na parametre namáhaných tranzistorov. Získané výsledky budú využité na zvýšenie spoľahlivosti spínacích GaN súčiastok so zameraním na optimalizáciu technológie monolitickej integrácie ochudobňovacích a obohacovacích tranzistorov vyvíjanej na ElÚ SAV v spolupráci s ÚEF FEI STU.
  • Téma: Návrh, technológia a charakterizácia elektronických a senzorických štruktúr pre použitie v extrémnych podmienkach
    Školiteľ: Ing. Gabriel Vanko, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky )
    Popis: Navrhnutá tematika je motivovaná aktuálnou potrebou implementácie nových materiálov pre návrh a výrobu Mikro(Nano)ElektroMechanických Systémov – M(N)EMS schopných pracovať v extrémnych podmienkach vysokých teplôt a chemicky agresívneho prostredia. Dizertačná práca bude preto orientovaná na návrh, prípravu a charakterizáciu senzorických a elektronických súčiastok na báze III-nitridových polovodičových zlúčenín. Jedná sa predovšetkým o heteroštruktúry AlGaN/GaN v hybridnej integrácii s diamantovými vrstvami vo funkcii: a)nanoštruktúrovaných a poréznych chemicky absorpčných vrstiev (pre chemické senzory plynov); b)mechanicky podporných membránových štruktúr (pre senzory tlaku, sily a zrýchlenia); c)biokompatibilných vrstiev (pre biosenzory) ako aj d)tepelne vodivých povrchových pasivačných vrstiev (pre elektronické prvky s 2D elektrónovým plynom).
  • Téma: Pixelové detektory na báze GaAs pre rtg zobrazovanie

    Školiteľ: Mgr. Bohumír Zaťko, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky )
    Popis: Práca sa zaoberá štúdiom ich elektrických a detekčných vlastností pixelových senzorov a interpretáciou získaných výsledkov. Detekčným materiálom sú semiizolačný GaAs prípadne 4H-SiC. V prvej fáze sa práca sústredí na návrh a prípravu pixelových detekčných štruktúr. Následne sa vykoná elektrická charakterizácia. Vybrané vhodné pixelové štruktúry sa pripoja k spektrometrickej aparatúre. Po vyhodnotení meraných výsledkov sa pripravia pixelové polia pre vyčítavací čip Timepix3. Spojením pixelových detektorov s vyčitavacím čipom vznikne pixelový detekčný systém (zobrazovacia kamera) a budú sa vyhodnocovať jeho spektrometrické a zobrazovacie schopnosti.
  • Téma: Príprava a štúdium vlastností bariérových detektorov ionizujúceho žiarenia

    Školiteľ: Mgr. Bohumír Zaťko, PhD. ( Oddelenie mikroelektroniky a senzoriky )
    Popis: Práca sa zaoberá technológiou prípravy detektorov ionizujúceho žiarenia, štúdiom ich elektrických a detekčných vlastností a interpretáciu získaných výsledkov. Detekčným materiálom sú semiizolačný GaAs a epitaxná vysokokvalitná vrstva 4H-SiC. V prvej fáze sa práca sústredí na návrh a prípravu detekčných štruktúr. Následne sa vykoná elektrická charakterizácia (IV a CV merania). Vybrané vhodné detekčné štruktúry sa pripoja k spektrometrickej aparatúre. Tu bude potrebné vykonať optimalizáciu z hľadiska celkového šumu podľa parametrov detektora (záverný prúd v pracovnom bode, kapacita). V závere sa vyhodnotia detekčné a spektrometrické vlastnosti, kde je nutné dosiahnuť energetické rozlíšenie lepšie ako 1 keV.

4.1.3 „Fyzika kondenzovaných látok a akustika“

  • Téma: Optická spektroskopia 2D materiálov

    Školiteľ: Dr. M. Hulman, PhD. ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Popis: Dvojrozmerné materiály predstavujú v súčasnosti jednu z najintenzívnejšie skúmaných tried materiálov. Dôvodov je viac, stačí však spomenúť dva: 1) že tieto materiály sa dajú pripraviť vo forme ultimatívne tenkej vrstvy, ktorá má hrúbku len jednej základnej bunky, 2) ich elektronické vlastnosti pokrývajú celú škálu od izolátorov až po supravodiče. Na Elektrotechnickom ústave SAV je skupina zaoberajúca sa rastom a charakterizáciou 2D materiálov [1,2]. Dizertačná práca by dopĺňala aktivity tejto skupiny.
    Témou dizertačnej práce je spektroskopická charakterizácia (ultra)tenkých filmov materiálov zo skupiny dichalkogenidov prechodových kovov (TMDs: MoS2, WS2, TiSe2 a iné). Práca má experimentálny charakter a využíva dve hlavné techniky: 1. Ramanovu spektroskopiu a 2. optickú spektroskopiu od infračervenej až po UV frekvenčnú oblasť. Cieľom práce je charakterizácia materiálov a vyšetrovanie vplyvu teploty, dopovania a štruktúry na optické vlastnosti 2D materiálov. Ďalším cieľom práce je identifikácia „exotických“ elektronických stavov vo vybraných TMD materiáloch, ako napr. stavu vĺn nábojovej hustoty (charge density wave) alebo fázových prechodov, spektroskopickými metódami.
  • Téma: Príprava magnetických mikro/nano-objektov pre nové magnetické súčiastky

    Školiteľ: Ing. J. Šoltýs, PhD. ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Školiteľ špecialista: Dr. Michal Mruczkiewicz ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Popis: Magnetické nanostruktúry sú považované za nové súčiastky vhodné pre ukladanie informácií, ktoré môžu svojimi vlastnosťami prekonať obmedzenia polovodičovej technológie. Požiadavky na miniaturizáciu, vysokú energetickú účinnosť a čisto elektrickú kontrolu stavu pamäti je možné splniť v nových súčiastkach založených na magnetických materiáloch. Výrazný výskum v oblasti mikromagnetizmu bol podnietený nájdením ultratenkých kovových vrstiev vyznačujúcich sa tzv. Dzyaloshinskii-Moriya interakciou (DMI). Táto interakcia uľahčuje vznik nových typov nekolineárnych magnetických štruktúr s jedinečnými fyzikálnymi vlastnosťami. Cieľom práce bude odladenie technológie prípravy magnetických štruktúr založených na tvarovaných mikro/naonoobjektoch (jednotlivých alebo poliach). V rámci tohto cieľa bude nutné optimalizovať techniku nanášania tenkých metalických vrstiev. Vhodný tvar magnetických objektov sa získa pomocou počítačových simulácií, na základe čoho sa experimentálne vyrobia a ich vlastnosti budú overené magnetickými meraniami.
  • Téma: Mikrovlnné InAl(Ga)N/GaN tranzistory pre novú generáciu elektroniky zmiešaných signálov
    Školiteľ: Ing. Milan Ťapajna, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Školiteľ špecialista: Ing. M. Blaho, PhD. ( Oddelenie III-V polovodičov )
    Popis: Integrované obvody zmiešaných signálov – spracuvávajúce analógové aj digitálne signály na jednom čipe – majú široké uplatnenie v modernej elektronike (telekomunikácie, spotrebná elektronika). Vďaka svojim výnimočným vlastnostiam umožňuje technológia heteroštruktúrnych tranzistorov na báze GaN realizáciu mikrovlnných ako aj logických súčiastok pracujúcich pri podstatne vyšších frekvenciách ako v prípade obvodov na báze Si. Integrácia týchto systémov však vyžaduje ďalší vývoj jednotlivých modulov. Cieľom dizertačnej práce bude výskum a vývoj procesnej technológie mikrovlnných tranzistorov využívajúcich InAl(Ga)N/GaN heteroštruktúru, umožňujúcu drastické škálovanie hrúbky InAl(Ga)N bariérovej vrstvy. Sub-mikrometrové hradlá tranzistora budú pripravované pomocou priamej elektrónovej litografie. Pomocou jednosmerných a impulzných meraní budú analyzované parazitné efekty a nestability za účelom ich potlačenia. V spolupráci s externým pracoviskom zabezpečujúcim mikrovlnné merania bude študovaný transport elektrónov pod hradlom s cieľom potlačenia nežiadúcich oneskorení a zvyšovania medznej frekvencie a maximálnej frekvencie oscilácií (ft a fmax) vyvýjaných tranzistorov.
  • Téma: Numerická simulácia magnetických štruktúr a javov

    Školiteľ: Ing. Jaroslav Tóbik, PhD. ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Školiteľ špecialista:Dr. Michal Mruczkiewicz ( Oddelenie fyziky a technológie nanoštruktúr )
    Popis: Tradičná aplikácia magnetických materiálov je ukladanie informácií. Dlhoročné konvečné metódy ukladania informácií na harddisky a magnetické pásky sů z hľadiska moderných požiadaviek na energetickú nenáročnosť, spoľahlivosť a rýchlosť zastarané. Nové štandardy pre pamäte sa však dajú dosiahnuť aj pomocou zápisu informácie do magnetickej textúry vhodných magnetických pamäťových štruktúr. Nedávny objav asymetrickj výmennej interakcie otvoril nové možnosti využitia topologických magnetických usporiadní ako skyrmióny[1], magnetické víry[2], atď [3].  Topologicky chránené stavy majú perspektívu byť využité ako nosiče informácie v praktických aplikáciách. Ich topologická chránenosť na druhej strane prináša ťažkosti pri modelovaní magnetických procesov. V limite kontinua, čo je bežná limita mikro-magnetického modelu topologicky chánené stavy nemôžu ani vznikať ani zanikať. V realite je to možné kôli atomárnej štruktúre látok. Mnohé súčastné modelové výpočty sú preto skreslené[4]. Cieľom tejto dizertačnej práce je implementovať multiškálvý model správne popisujúci deje ako vytvorenie alebo zánik topologicky chránených stavov a súčastne umožňujúci riešiť technologicky zaujímavé veľkosti magnetických systémov. Okrem statických vlastností je dôležité poznať  a správne popísať tiež interakcie magnetických štruktúr s elektrickým prúdom. Moderná manipulácia magnetických stavov sa realizuje pomocou prúdových impulzov prostredníctvom javov ako spin trasfer torque, a naopak, zmena balistickej vodivosti nanodôtov pomocou vhodného usporiadania nanomagnetov [5]. Výsledky simulácií zvyčajne bývajú interpretované jednoduchším modelom aby boli širšie aplikovateľné na rôzne experimenty.
    [1] U.K. Rossler; A.N. Bogdanov; C. Pfleiderer (2006). „Spontaneous skyrmion ground states in magnetic metals“. Nature Letters. 442: 797–801.
    [2] T. Shinjo, T. Okuno, R. Hassdorf, K. Shigeto, T. Ono, “Magnetic Vortex Core Observation in Circular Dots of Permalloy ” Science, vol. 289. no. 5481, pp. 930 – 932 (2000).
    [3] Filipp N. Rybakov, Aleksandr B. Borisov, Stefan Blügel, and Nikolai S. Kiselev, “New Type of Stable Particlelike States in Chiral Magnets” Phys. Rev. Lett. 115, 117201 (2015).
    [4] Andrea De Lucia, Kai Litzius, Benjamin Krüger, Oleg A. Tretiakov, and Mathias Kläui, “Multiscale simulations of topological transformations in magnetic-skyrmion spin structures”, Phys. Rev. B 96, 020405(R) (2017).
    [5] L. N. Maurer, J. K. Gamble, L. Tracy, S. Eley, T. M. Lu, “Designing Nanomagnet Arrays for Topological Nanowires in Si”, arXiv:1801.03676